IEKP-KA/2013-4 - Institut für Experimentelle Kernphysik - KIT
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7.1. Vorqualifizierung 51<br />
2 ,0<br />
1 ,5<br />
M S S D , w /p ~ 0 ,1 4<br />
f C b c k<br />
= 1 k H z , f C in t<br />
= 1 M H z<br />
p = 7 0 µ m<br />
p = 1 2 0 µ m<br />
p = 2 4 0 µ m<br />
F T H 2 0 0 N C to t<br />
F T H 2 0 0 N C b c k<br />
F T H 2 0 0 N C in t<br />
F T H 2 0 0 Y C to t<br />
F T H 2 0 0 Y C b c k<br />
F T H 2 0 0 Y C in t<br />
F T H 2 0 0 P C to t<br />
F T H 2 0 0 P C b c k<br />
F T H 2 0 0 P C in t<br />
p F /c m<br />
1 ,0<br />
p = 8 0 µ m<br />
0 ,5<br />
0 ,0<br />
0 ,2 0 ,3 0 ,4 0 ,5 0 ,6 0 ,7 0 ,8 0 ,9 1 ,0<br />
p /(d + p * f(w /p ))<br />
Abbildung 7.4.: Kapazitäten der Regionen mit w/p ≈ 0, 14 der MSSD-Sensoren von Typ<br />
FTH200P, FTH200Y und FTH200N. Dargestellt werden die Rückseitenkapazität,<br />
die Zwischenstreifenkapazität und die Gesamtkapazität. Die<br />
Verbindungslinien zwischen den Punkten dienen der Orientierung.<br />
2 ,0<br />
M S S D , w /p ~ 0 ,2 4<br />
f C b c k<br />
= 1 k H z , f C in t<br />
= 1 M H z<br />
p = 2 4 0 µ m<br />
1 ,5<br />
p = 7 0 µ m<br />
p = 1 2 0 µ m<br />
p = 8 0 µ m<br />
p F /c m<br />
1 ,0<br />
0 ,5<br />
F T H 2 0 0 N C to t<br />
F T H 2 0 0 N C b c k<br />
F T H 2 0 0 N C in t<br />
F T H 2 0 0 Y C to t<br />
F T H 2 0 0 Y C b c k<br />
F T H 2 0 0 Y C in t<br />
F T H 2 0 0 P C to t<br />
F T H 2 0 0 P C b c k<br />
F T H 2 0 0 P C in t<br />
0 ,0<br />
0 ,2 0 ,3 0 ,4 0 ,5 0 ,6 0 ,7 0 ,8 0 ,9 1 ,0<br />
p /(d + p * f(w /p ))<br />
Abbildung 7.5.: Kapazitäten der Regionen mit w/p ≈ 0, 24 der MSSD-Sensoren von Typ<br />
FTH200P, FTH200Y und FTH200N.<br />
2 ,0<br />
M S S D , w /p ~ 0 ,3 4<br />
f C b c k<br />
= 1 k H z , f C in t<br />
= 1 M H z<br />
1 ,5<br />
p = 7 0 µ m<br />
p = 1 2 0 µ m<br />
p = 2 4 0 µ m<br />
p F /c m<br />
1 ,0<br />
0 ,5<br />
F T H 2 0 0 N C to t<br />
F T H 2 0 0 N C b c k<br />
F T H 2 0 0 N C in t<br />
F T H 2 0 0 Y C to t<br />
F T H 2 0 0 Y C b c k<br />
F T H 2 0 0 Y C in t<br />
F T H 2 0 0 P C to t<br />
F T H 2 0 0 P C b c k<br />
F T H 2 0 0 P C in t<br />
p = 8 0 µ m<br />
0 ,0<br />
0 ,2 0 ,3 0 ,4 0 ,5 0 ,6 0 ,7 0 ,8 0 ,9 1 ,0<br />
p /(d + p * f(w /p ))<br />
Abbildung 7.6.: Kapazitäten der Regionen mit w/p ≈ 0, 34 der MSSD-Sensoren von Typ<br />
FTH200P, FTH200Y und FTH200N.