Ausfallmechanismen, Ausfallmodelle und ...

4.2 EINPRESS-VERBINDUNGEN 125
A(t) die Kontaktfläche zum Zeitpunkt t darstellt. Der rechnerischen
Zunahme des Engewiderstands R(t) liegt eine lineare
Abnahme des Pinquerschnitts, also der zur Verfügung stehenden
Kontaktfläche A(t) zugrunde. Die lineare Abnahme der Kontaktfläche
wurde auf die experimentell bestimmte Lebensdauer des
gemessenen Pins (16000 Zyklen) angepasst. Für die Leitfähigkeit
des Pins wurden die elektrischen Eigenschaften des Grundmaterials
CuSn 6 mit ρ = 0,0204 Ω·m [Wieb] angesetzt. Der Vergleich
der errechneten und der gemessenen Widerstandszunahme ist
in Abbildung 4.2.52 dargestellt.
Abbildung 4.2.52: Links: Pinanriss im Schliff. Rechts: Vergleich
der gemessenen Widerstandserhöhung mit der rechnerischen
Zunahme durch einen Pinanriss.
Der Vergleich unterstützt die Einschätzung der optischen Begutachtung.
Die gemessene Widerstandszunahme war in der Hauptsache
auf den Pinbruch zurückzuführen. Die Kontaktzone blieb
auch unter dem Einfluss größerer mechanischer Belastungen
stabil. Die Analyse angeschliffener Pins ergab, daß bereits leichte
Erhöhungen in Widerstand mit einer Rissbildung im Pin verbunden
waren. So waren bereits bei einer Widerstandserhöhung
von 50 μΩ Anrisse im Pin erkennbar (siehe Abb. 4.2.52). Schon
deutlich vor dem Erreichen des aus der Erprobungs-Praxis übernommenen
Ausfallkriteriums von 1 mΩ war der Pin somit massiv
geschädigt. Während im Labor eine präzise Widerstandsmessung