PDF-Ausgabe herunterladen (28.7 MB) - elektronik industrie
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Leistungs<strong>elektronik</strong><br />
Hochspannungs-MOSFETs<br />
Minimale Schalt- und Leitungsverluste<br />
Bild: Setron<br />
Die Hochspannungs-MOSFETs AOTF11C60 und<br />
AOTF20C60 minimieren Schalt- und Leitungsverluste.<br />
Die AlphaMOS-II-Produkte (Struktur und<br />
Prozess sind durch ein angemeldetes Patent<br />
geschützt) von Alpha & Omega Semicontuctor<br />
(AOS), im Vertrieb bei Setron,<br />
vereinen die Robustheit und auch die kontrollierte<br />
Schaltcharakteristik der Planartechnologie<br />
mit den äußerst niedrigen<br />
Durchgangswiderständen der Bauelemente<br />
vom Super-Junction-Typ. AOTF11C60<br />
und AOTF20C60 von Setron sind sehr gut<br />
für Hochspannungs-Anwendungen geeignet,<br />
bei denen Funktionssicherheit und<br />
Leistung kritische Parameter darstellen,<br />
wie beispielsweise Server, Telekommunikations-<br />
und Netzwerk-Netzteile, UPS, Solar-<br />
Wechselrichter, <strong>industrie</strong>lle Motorkontrollsysteme<br />
und LED-Beleuchtung.<br />
Mittels einer Feinabstimmung der<br />
Schaltparameter wurde die AlphaMOS-II-<br />
Technologie von AOS für rauscharme Anwendungen<br />
und für eine hohe Effizienz<br />
optimiert. Weiterhin weisen die Hochspannungs-MOSFETs<br />
eine hohe Verbesserung<br />
der UIS-Fähigkeit auf. Aufgrund ihrer<br />
niedrigen R DS(ON)<br />
, C iss<br />
und C rss<br />
sind sie<br />
zudem äußerst gut für Designs geeignet,<br />
welche insbesondere eine hohe Robustheit<br />
bei einer ebenfalls hohen Funktionssicherheit<br />
erfordern.<br />
Beide Hochspannungs-MOSFETS sind<br />
zu 100 Prozent Rg- und UIS-getestet und<br />
sie haben zudem halogenfreie RoHS-konforme<br />
TO-220F-Gehäuse. (ah)<br />
n<br />
infoDIREKT <br />
In Dünnschicht-Technologie<br />
Leistungswiderstand im TO126-Gehäuse<br />
627ei0513<br />
Zuverlässige<br />
Produkte erwünscht<br />
Dann dürfen unsere Board-to-Board<br />
und Board-to-FPC Steckverbinder beim<br />
Design-In nicht fehlen. Die Vorteile:<br />
◗ Kompakte Größen<br />
Bild: WDI<br />
Mit einer Nennleistung von 20 W (auf<br />
Kühlkörper montiert) in einem sehr kleinen<br />
und flachen TO126-Gehäuse, bietet<br />
der japanische Hersteller Nikkohm (Vertrieb:<br />
WDI) mit der Serie RNP10S einen<br />
nicht induktiven Leistungswiderstand in<br />
Dünnschicht-Technologie an.<br />
Eine Nickel-Chrom-Folie auf Aluminiumsubstrat<br />
mit metallisierter Rückseite ist<br />
auf eine wärmeleitende, verkupferte<br />
Grundplatte gelötet. Dies gewährleistet eine<br />
gute Ableitung der Wärmeleistung hin<br />
zum Kühlkörper, der üblicherweise durch<br />
www.<strong>elektronik</strong>-<strong>industrie</strong>.de<br />
Die ausgeklügelte<br />
Konstruktion<br />
der Leistungswiderstände<br />
gewährleistet<br />
eine sehr gute<br />
Ableitung der<br />
Wärmeleistung<br />
hin zum<br />
Kühlkörper.<br />
Luftstrom oder Wasser zu kühlen ist. Im<br />
Ohmwertbereich 10R bis 51K ist der RN-<br />
P10S in 1 Prozent Toleranz und TK50 ppm<br />
lieferbar, mit TK100 ppm in 1 Prozent und<br />
5 Prozent im Bereich von 0R1 bis 9R1 und<br />
von 0R01 bis 0R09 in 5 Prozent Toleranz<br />
bei TK250 ppm. Der Arbeitstemperaturbereich<br />
reicht von -55 bis +155 °C. Die RoHSkonforme<br />
RNP10S-Serie ist in HF-Anwendungen<br />
und Hochgeschwindigkeits-Impulsschaltungen<br />
einsetzbar.<br />
Weitere Anwendungsbereiche der RN-<br />
P10S-Serie sind unterbrechungsfreie<br />
Stromversorgungen, Motorsteuerungen,<br />
Antriebe, Messgeräte, Automotive, Leistungs-<br />
und Industrie<strong>elektronik</strong>. Speziell<br />
für Präzisions- und HF-Anwendungen<br />
steht mit der Serie RNP10P eine Version<br />
mit 10 W Nennleistung in 0,1 Prozent Toleranz<br />
und einem TK5 ppm zur Verfügung.<br />
Die maximale Arbeitstemperatur beträgt<br />
+120 °C. (ah) n<br />
infoDIREKT <br />
667ei0513<br />
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Mit einem Rastermaß von 0,2 mm bis zu<br />
0,8 mm, einer Steckhöhe von 0,6 mm<br />
bis 14 mm und variabler Kontaktanzahl,<br />
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