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Leistungselektronik
Rauscharmer 5-A-µModule-Abwärtsregler
1 mV Ausgangswelligkeit
Bild: Linear Technology
Der µModule-Abwärtsregler LTM8028 von
Linear Technology hat eine Ausgangswelligkeit
von nur 1 mV und ist vorgesehen zur
Speisung von Datenwandlern und High-
Speed-Transceivern. Die sehr geringe
Ausgangswelligkeit minimiert den Zufalls-
Jitter in High-Speed-Datenempfängern
und trägt dadurch zur Minimierung der
Bitfehlerrate (BER) bei. Es wurden Tests an
einem A/D-Wandler (ADC) durchgeführt,
einmal mit einem typischen Abwärtsregler
als Stromversorgung und ein zweites Mal
mit einem LTM8028; bei Speisung durch
den LTM8028 wies der ADC einen um 13
dB größeren verzerrungsfreien Dyna mikbereich
auf. Der µModule-Regler vereint
einen 36-V-Synchron-Abwärts-Schaltregler
und einen nachgeschalteten 5-A-Linearregler
in einem kompak ten, nur 15 mm
x 15 mm x 4,92 mm großen BGA-Gehäuse.
Zur Minimierung der Leistungs verluste
und des Spannungsabfalls über dem Linearregler
wird die Ausgangs spannung des
internen Synchron-Schaltreglers automatisch
an die des LDOs angepasst. Die Ausgangsspannung
ist über eine digitale Tri-
State-Schnittstelle im Bereich von 0,8 bis
1,8 V in 50-mV-Schritten programmierbar.
Die Ausgangsspannungsgenauigkeit beträgt
±1,5 Prozent über den gesamten Temperaturbereich.
Lediglich 40 µV eff
über den
Frequenzbereich von 10 Hz bis 100 kHz
beträgt das Ausgangsrauschen. Eine Strombegrenzung,
die vom Anwender
eingestellt werden
kann, mit einer Genauigkeit
von ±10 Prozent bietet
der Abwärtsregler. Die
Schaltfrequenz ist im Bereich
von 200 kHz bis 1
MHz programmierbar und
kann mit einem externen
Taktsignal innerhalb dieses
Frequenzbereichs synchronisiert
werden. In Versionen für die Betriebstemperaturbereiche
von -40 bis +125
°C beziehungsweise von -55 bis +125 °C
(Sperrschichttemperatur) ist der Abwärtsregler
erhältlich. Sämtliche Spezifikationen
werden für den gesamten Temperaturbereich
garantiert. (ah) n
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Die Ausgangswelligkeit der
µModule-Abwärtsregler LTM8028
ist sehr gering.
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650-V-Superjunction-MOSFET-Technologie
Niedriger Einschaltwiderstand in hart schaltenden Anwendungen
Infineon Technologies erweitert sein
Produkt-Portfolio mit dem CoolMOS C7
und führt damit eine neue Generation
der 650-V-Superjunction-MOSFET-
Technologie ein. Die C7-Produktfamilie
bietet für jedes Gehäuse, laut Infineon,
den marktweit geringsten Einschaltwiderstand
R DS(on)
und erhöht dank geringe-
Bild: Infineon
rer Schaltverluste den Wirkungsgrad in
allen Lastbereichen. C7 ist auf den Einsatz
in hart schaltenden Topologien ausgerichtet
– beispielsweise Continuous
Conduction Mode Power Factor Correction
(CCM PFC), Two Transistor Forward
(TTF) und Solar Boost. Typische
Anwendungen sind Server, Solar- und
Die C7-Produktfamilie
bietet einen geringen
Einschaltwiderstand und
erhöht dank geringerer
Schaltverluste den
Wirkungsgrad in allen
Lastbereichen.
Telekommunikationsanlagen und UPS-
Systeme (Uninterruptible Power Supply;
unterbrechungsfreie Stromversorgung).
Mit einer Durchbruchspannung von 650
V eignet sich die C7-Familie auch für
Anwendungen, die eine größere Sicherheitsreserve
erfordern.
C7 bietet einen niedrigen R DS(on)
von 19
mΩ in einem TO-247-Package beziehungsweise
45 mΩ in TO-220- und D
2PAK-Gehäusen. Durch das schnelle
Schaltverhalten von C7 lassen sich auch bei
Schaltfrequenzen von über 100 kHz in Server-PFC-Stufen
Wirkungsgrade auf Titanium-Level
erreichen. Der geringere Platzbedarf
der passiven Komponenten führt zu
größerer Leistungsdichte.
Darüber hinaus führen die geringe Speicherladung
im Ausgangskondensator
(EOSS) sowie eine niedrige Gate-Ladung
Q g
zu einer Erhöhung des Wirkungsgrads
auch bei geringer Last. (ah)
n
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46 elektronik industrie 05/2013
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