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Molekularelektronik 15 nicht genügend Moleküle vorhanden um die Oberäche komplett zu bedecken, entstehen Störstellen. Jedoch können auch bei vollständiger Bedeckung Defekte auftreten. Mögliche Ursachen sind in Abbildung 2.6 B) und C) gezeigt. Die Moleküle richten sich parallel zu einander aus, haben jedoch durch die Verkippung eine ausgezeichnete Richtung. Ein Wechsel dieser Ausrichtung an den sog. Domaingrenzen führt zu einem Defekt in der SAM. Auch entsteht durch jede Abweichung der Topographie des Substrats von einer atomar glatten Oberäche eine Unregelmäÿigkeit in der Bedeckung. Zudem bilden kurzkettige Alkanthiole (C
16 Kapitel 2: Grundlagen und Methoden Durch elektrisch bistabile Kreuzungspunkte lassen sich verschiedene Schaltungen mit einem Crossbar realisieren [53, 54]. So ist in einem 4 x4 bit Crossbar beispielsweise das Ausführen der logischen AND-Operation möglich. Auch kann durch Skalierung der Leiterbahnen eine enorme Integrationsdichte in einem Crossbar-Feld erreicht werden [55]. Zudem ist ein Crossbar ein redundantes System, da es sich auch bei Ausfall einzelner Kreuzungspunkte reprogrammieren lässt. Dies ist insbesondere in der Molekularelektronik wichtig, da die Wahrscheinlichkeit für Defekte mit schrumpfenden Abmessungen stark zunimmt. Bei Ausfall eines Kreuzungspunktes kann das Crossbar neu programmiert und so ein Defekt kompensieren werden. Ein prominentes Beispiel für die Anwendung der Crossbar-Struktur ist der Memristor [56]. Auch wurden molekulare Brücken in einem Crossbar-Schaltkreis realisiert [33], wobei jeder Kreuzungspunkt eine eigene Brücke bildet. Um mit einem Crossbar Schaltungen zu entwickeln, muss funktionales Material in die A) B) Abbildung 2.7: A) Illustration eines Crossbar-Feldes mit eingeschlossener Materialschicht. B) Darstellung eines Kreuzungspunktes mit biologischen Molekülen. Kreuzungspunkte integriert werden (vgl. Abbildung 2.7 B)). Organische und biologische Moleküle sind viel versprechende Systeme zur Realisierung von bistabilen Brücken [57, 58]. Jedoch bleibt die Integration funktionaler Moleküle eine technologische Herausforderung. 2.3 Lithographie Techniken und Untersuchungsmethoden 2.3.1 Konventionelle lithographische Verfahren Die Möglichkeit Mikro- und Nanometer-Strukturen zuverlässig und ezient herzustellen ist Grundlage moderner integrierter Schaltkreise. Dabei ist die Photolithographie (PL) die konventionelle Methode zur Herstellung von Mikrometer-Strukturen. Die Auösungsgrenze ist hier durch die Wellenlänge des verwendeten Lichtes bestimmt. Auch wenn die moderne Halbleiterindustrie durch EUV-Lithographie 3 Strukturen im sub-100 nm erreicht, liegt die klassische Grenze der PL bei 0, 5 μm. Als Standardmethode zur Herstellung von Strukturen unterhalb dieser Grenze hat sich im Laborbetrieb die Elektronenstrahllithographie (EBL) etabliert. Die einem beschleunigten Elektron nach De-Broglie zugewiesene Wellenlänge, ist deutlich kleiner als die eines 3 Eine Übersicht zur EUV-Lithograpie wird von Wu et al. gegeben [59]
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Seite 20 und 21: 2 Grundlagen und Methoden 2.1 Theor
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Seite 32 und 33: Lithographie Techniken und Untersuc
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Seite 55 und 56: 40 Kapitel 4: EGaIn-Eutektikum als
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Herstellung eines nanoimprint Molds
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102 Literaturverzeichnis [14] Beebe
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104 Literaturverzeichnis [39] Lee,
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106 Literaturverzeichnis [63] Chou,
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110 Literaturverzeichnis [111] Beeb
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Anhang A Weitere Strukturierungsmö
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Weitere Strukturierungsmöglichkeit
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Abbildungen 119 mit PEDOT:PSS von d
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Abbildungen 121 Abbildung B8: Layou
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Abbildungen 123 Abbildung B10: AFM
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Protokolle 125 Ätzrezepte zum Troc
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Protokolle 127 Schutzschicht (posit
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