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Lithographie Techniken und Untersuchungsmethoden 19<br />
Elektronenstrahl<br />
gestreute Elektronen<br />
gesamte Elektronenintensität<br />
Abbildung 2.9: Elektronenintensität bei der EBL. Die Gesamtintensität, weche der Lack<br />
beim Schreibprozess erfährt, wird durch die rote Kurve dargestellt. Sie setzt<br />
sich aus dem Strahlprol des Elektronenstrahls (schwarze, durchgehende<br />
Kurve) und der Streuintensität (schwarze, gestrichelte Kurve) zusammen.<br />
von Prototypen und Master-Strukturen verwendet.<br />
2.3.2 Nanoimprint Lithographie<br />
Die Idee, ein Muster mit Hilfe eines Stempels in ein Material abzuformen, ist so einfach<br />
wie sie alt ist. Daher ist es nicht verwunderlich, dass ein japanisches Patent bereits 1977<br />
unter dem Namen Molded Mask Lithography, ein lithographisches Verfahren basierend auf<br />
eben jenem Prinzip, beschreibt [61, 62]. Jedoch wurde dem Patent zu der Zeit nicht viel<br />
Beachtung geschenkt. Erst in den neunziger Jahren wurde diese Methode von Chou et al.<br />
wieder erfunden und unter dem Namen Nanoimprintlithography (NIL) populär [63, 64, 65].<br />
Schon die ersten Veröentlichungen konnten Strukturen im sub-25 nm Bereicht vorweisen.<br />
Inzwischen gilt NIL als vielversprechendes lithographisches Verfahren zur Herstellung von<br />
Strukturen im Nanobereich und wird seit 2003 in der International Technology Roadmap<br />
for Semiconductors (ITRS) geführt. Da es sich um einen parallelen Prozess handelt, hat die<br />
NIL das Potential hohe Durchsatzraten zu erreichen [66, 67] und dadurch kostenezient zu<br />
sein. Als grundsätzlichen Problem wird jedoch angesehen, dass es sich um eine Kontaktmethode<br />
handelt, wodurch eine erhöhte Anfälligkeit für Defekte durch Partikel gegeben ist.<br />
Eine Übersicht der Entwicklung geben Guo et al. [68].<br />
Da NIL in vielen Forschungsbereichen genutzt wird, haben sich eine Reihe Abwandlungen<br />
entwickelt. Eine Übersicht, der verschiedenen Varianten, ndet sich in [69]. Allerdings kann<br />
grundsätzlich zwischen thermischer NIL (T-NIL) und UV-NIL unterschieden werden.<br />
Der Imprint-Prozess<br />
Chou et al. beschrieben schon 1995 einen Prozess, der etwas später als thermische NIL (T-<br />
NIL) speziziert wurde [63]. Hierbei trägt ein Stempel, der sogenannte Mold, ein Negativ<br />
eines gewünschten Musters als Relief. Das Zielmaterial, in welches das Muster übertragen<br />
werden soll, ist ein Thermoplast. Dieser wird bei Raumtemperatur mit dem Mold in Kon-