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View/Open - JUWEL - Forschungszentrum Jülich

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Bottom Elektroden 67<br />

wendet, der keine beliebigen Strukturen zulässt. Da die elektrische Adressierbarkeit eine<br />

Vorraussetzung für die Anwendung der Crossbar-Strukturen ist, sind Herstellungsprozesse,<br />

die auf periodischen Mustern basieren, keine Option.<br />

Um die Molds für NIL zu verwenden und eine Silanisierung zu ermöglichen, wurde die<br />

Chromschicht nasschemisch entfernt. Dies hat den positiven Nebeneekt, dass Rückstände<br />

vom RIBE Prozess auf der Moldoberäche ebenfalls abgelöst werden.<br />

Alle Molds wurden vor der NIL mit Peruorsilan (FOTCS) SAM beschichtet. In allen<br />

Fällen wurde das Silan aus der Gasphase abgeschieden. Da die Molds zur Herstellung von<br />

Top-Elektroden sehr gute Antihafteigenschaften aufweisen müssen, wurde auf eine spezielle<br />

Silanisierungsmethode mit dem sog. Casino-Device zurückgegrien. Dieses Gerät ist ein Eigenbau<br />

und wurde dazu entwickelt hochwertige SAMs aus der Gasphase abzuscheiden. Im<br />

Vergleich zur herkömmlichen Abscheidung aus der Gasphase werden hier zusätzliche Prozessschritte<br />

(Wasseraktivierung, Erhitzen) durchgeführt. Dies führt zu hochwertigen und<br />

defektfreien Monolagen. Der damit erreichte Kontaktwinkel lag für alle Molds zwischen<br />

110 ◦ und 115 ◦ .<br />

5.2 Bottom Elektroden<br />

Die Bottom-Elektroden wurden auf 4 Si-Wafern hergestellt. Zur elektrischen Isolierung<br />

wurde eine 400 nm Oxidschicht durch Nassoxidation aufgewachsen. Der RMS Wert der<br />

Oberächenrauigkeit lag bei (0.13 ± 0.02) nm. Durch Trockenoxidation konnte keine Verbesserung<br />

dieses Wertes erreicht werden. Als Elektrodenmaterial wurde Gold gewählt, da<br />

die Thiol-Gold-Bindung gut untersucht ist und somit Oberächen zuverlässig modiziert<br />

werden können. Zur besseren Adhäsion diente eine 5 nm Titanschicht, auf welche 30 nm<br />

Gold aufgedampft wurde.<br />

Der Strukturierungsprozess mit NIL ist in Abbildung 5.4 dargestellt. Es wurde ein zwei<br />

Schichten Lacksystem verwendet (in Abbildung 5.4 nicht dargestellt). Als Haftvermittler<br />

diente der Lack NX-R3022(1%) und als UV-Lack der NX-R2010(3%). Um eine möglichst<br />

dünne Restschicht beim NIL zu erreichen, wurde der NX-R2010 in MMA im Verhältnis<br />

1:1 verdünnt. Nach der Rotationsbeschichtung mit NX-R2010 hat dieser eine Schichtdicke<br />

von ca. 60 nm und der NX-R3022 eine Dicke von ca. 25 nm. Durch NIL wird der NX-R2010<br />

strukturiert und ausgehärtet. Die exakten Prozessparamter sind im Anhang C auf Seite 126<br />

aufgelistet. In Abbildung 5.5 sind REMAufnahmen von Querschnitten der NIL-Strukturen<br />

gezeigt. In Abb. 5.5 A) wurde ein UV-Lack mit groÿer Restschicht verwendet, während in<br />

Abb. 5.5 B) der verdünnte NX-R2010 eingesetzt wurde und die Restschicht wesentlich<br />

kleiner ausfällt. Weiterhin weist die Form der Strukturen darauf hin, dass die Kavitäten<br />

des Molds beim Imprint komplett gefüllt wurden. Somit lässt sich die Tiefe der Strukturen<br />

im Mold indirekt bestimmen. Für Molds mit 200 nm und 300 nm Strukturen wurde die<br />

Tiefe zu 80 nm bestimmt, während die 100 nm Strukturen eine Tiefe von 60 nm und die<br />

50 nm Strukturen eine Tiefe von 50 nm aufweisen. Die Unterschiede sind ein Resultat des<br />

Ätzprozesses mit RIBE bei der Moldherstellung. Der Abtransport von geätztem Material<br />

ist in kleinen Strukturen langsamer als in groÿen (sog. RIE lag)[140]. Da alle Molds mit<br />

derselben Ätzzeit hergestellt wurden, fällt die Tiefe der Strukuren unterschiedlich aus.<br />

Zum Übertragen der Strukturen in den Metalllm sind grundsätzlich zwei Ätzschritte notwendig.<br />

Im ersten Schritt wird die Restschicht des Lacks durch Ätzen mit CF 4 entfernt.<br />

Der NX-R2010 hat einen hohen Feststoanteil mit Si-Komponente, weshalb ein Ätzen mit

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