View/Open - JUWEL - Forschungszentrum Jülich
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3 Materialien und Geräte<br />
Reinraumzubehör und Geräte<br />
Die Herstellung der in dieser Arbeit verwendeten Proben wurde in einem Klasse 100 oder<br />
Klasse 10 Reinraum durchgeführt. Als Substrate für UV-transparente Stempel wurden 4 -<br />
SiO 2 Wafer, für alle übrigen Proben n-dotierte Silicium Wafer(, 1 − 10Ωm) von<br />
Si-Mat verwendet. Die Geräte für lithographische Verfahren (NIL, EBL, PL), zur Schichherstellung<br />
(PVD, Oxidation) sowie für Trockenätzverfahren (RIE, RIBE) und Reinigung<br />
werden im Folgenden aufgelistet.<br />
Belichter<br />
Prolometer<br />
Elektronenstrahlschreiber<br />
Metall Deposition<br />
Für alle Photolithographischen Prozesse wurde ein<br />
MA-6 Kontaktbelichter von Karl Süss verwendet. Zur<br />
UV-Belichtung stand eine Hg-Dampampe mit einer<br />
Leistung von 350 W in einem Wellenlängenbereich von<br />
280 - 350 nm zur Verfügung.<br />
Zur schnellen Analyse von Oberächenstrukturen wurde<br />
ein Dektak 3030 von Sloan / Veeco verwendet.<br />
Zur Herstellung von NIL Stempeln mittels EBL wurde<br />
ein Leica EBPG 5HR Elektronenstrahlschreiber verwendet.<br />
Die Metalldeposition durch Elektronenstrahlverdampfung<br />
wurde in einer Pfeier PLS 500 Aufdampfanlage<br />
durchgeführt. Für Depositionen durch Widerstandsverdampfung<br />
wurde eine Leybold L560 Anlage genutzt.<br />
Schichtdicken bis zu 50 nm wurden mit einer Rate<br />
von 0,1 nm / s aufgedampft. Gröÿere Schichtdicken<br />
mit einer Rate von 0,5 nm / s.<br />
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