PCT/2001/50 - World Intellectual Property Organization

50/2001
13 Dec/déc 2001 PCT Gazette - Section I - Gazette du PCT 23097
(51) 7 H01L 21/02
(11) WO 01/95378 (13) A2
(21) PCT/US01/18585
(22) 7 Jun/juin 2001 (07.06.2001)
(25) en (26) en
(30) 09/590,795 8 Jun/juin 2000 US
(08.06.2000)
(43) 13 Dec/déc 2001 (13.12.2001)
(54) • METHODS FOR FORMING AND IN-
TEGRATED CIRCUIT STRUCTURES
CONTAINING RUTHENIUM AND
TUNGSTEN CONTAINING LAYERS
• PROCEDES DE FABRICATION ET
STRUCTURES DE CIRCUITS IN-
TEGRES CONTENANT DES COUCHES
A TENEUR EN RUTHENIUM ET EN
TUNGSTENE
(71) MICRON TECHNOLOGY, INC.
[US/US]; 8000 South Federal Way, Boise, ID
83716-9632 (US).
(72) AGARWAL, Vishnu, K.; 2382 East Red
Cedar Lane, Boise, ID 83716 (US). DERDE-
RIAN, Garo; 6184 South Schooner Place,
Boise, ID 83716 (US). SANDHU, Gurtej,
S.; 2964 E. Parkriver Drive, Boise, ID 83706
(US). LI, Weimin, M.; 14124 West Chadford,
Boise, ID 83713 (US). VISOKAY,
Mark; 2705 Millwood Drive, Richardson,
TX 75082 (US). BASCERI, Cem; 314 E.
Iowa Drive, Boise, ID 83706 (US). YANG,
Sam; 5923 S. Sweet Gum Way, Boise, ID
83716 (US).
(74) JONES, Michael, D.; Klarquist, Sparkman,
Campbell, Leigh & Whinston, LLP, One
World Trade Center, Suite 1600, 121 SW
Salmon Street, Portland, OR 97204 (US).
(81) AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR
BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK
DM DZ EC EE ES FI GB GD GE GH GM
HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ
LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK
MN MW MX MZ NO NZ PL PT RO RU SD
SE SG SI SK SL TJ TM TR TT TZ UA UG
UZ VN YU ZA ZW.
(84) AP (GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ TZ
UG ZW); EA (AM AZ BY KG KZ MD RU
TJ TM); EP (AT BE CH CY DE DK ES FI
FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE TR); OA
(BF BJ CF CG CI CM GA GN GW ML MR
NE SN TD TG).
(51) 7 H01L 21/027, H05B 3/68, 3/10
(11) WO 01/95379 (13) A1
(21) PCT/JP00/03595
(22) 2 Jun/juin 2000 (02.06.2000)
(25) ja (26) ja
(43) 13 Dec/déc 2001 (13.12.2001)
(54) • HOT PLATE UNIT
• PLAQUE DE CUISSON
(71) IBIDEN CO., LTD. [JP/JP]; 2-1, Kanda-cho,
Ogaki-shi, Gifu 503-8604 (JP).
(for all designated States except / pour tous
les États désignés sauf US)
(72, 75) FURUKAWA, Masakazu [JP/JP];
Ibiden Co., Ltd. Ogaki-kita Plant, 1-1, Kitagata,
Ibigawa-cho, Ibi-gun, Gifu 501-0695
(JP).
(74) ONDA, Hironori; 12-1, Ohmiya-cho
2-chome, Gifu-shi, Gifu 500-8731 (JP).
(81) JP US.
(84) EP (AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR
IE IT LU MC NL PT SE).
(51) 7 H01L 21/20, 21/205, C30B 25/02
(11) WO 01/95380 (13) A1
(21) PCT/FR01/01777
(22) 8 Jun/juin 2001 (08.06.2001)
(25) fr (26) fr
(30) 00/07417 9 Jun/juin 2000 FR
(09.06.2000)
(43) 13 Dec/déc 2001 (13.12.2001)
(54) • PREPARATION METHOD OF A COAT-
ING OF GALLIUM NITRIDE
• PROCEDE DE PREPARATION D’UNE
COUCHE DE NITRURE DE GALLIUM
(71) CENTRE NATIONAL DE LA
RECHERCHE SCIENTIFIQUE [FR/FR];
3 rue Michel Ange, F-75794 Paris Cedex
16 (FR).
(for all designated States except / pour tous
les États désignés sauf US)
(72, 75) SEMOND, Fabrice [FR/FR]; 22 Place
des arcades, F-06250 Mougins le Haut (FR).
MASSIES, Jean, Claude [FR/FR]; Les Bois
de Valbonne, 2035 Route de Biot, F-06560
Valbonne (FR). GRANDJEAN, Nicolas,
Pierre [FR/FR]; 24 rue Lamartine, F-06000
Nice (FR).
(74) AUDIER, Philippe; Brevatome, 3, rue du
Docteur Lancereaux, F-75008 Paris (FR).
(81) AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR
BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK
DM DZ EC EE ES FI GB GD GE GH GM
HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ
LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK
MN MW MX MZ NO NZ PL PT RO RU SD
SE SG SI SK SL TJ TM TR TT TZ UA UG
US UZ VN YU ZA ZW.
(84) AP (GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ TZ
UG ZW); EA (AM AZ BY KG KZ MD RU
TJ TM); EP (AT BE CH CY DE DK ES FI
FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE TR); OA
(BF BJ CF CG CI CM GA GN GW ML MR
NE SN TD TG).
Published / Publiée :(c)
(51) 7 H01L 21/3105
(11) WO 01/95381
(21) PCT/US01/18402
(13) A2
(22) 6 Jun/juin 2001 (06.06.2001)
(25) en (26) en
(30) 09/587,883 6 Jun/juin 2000
(06.06.2000)
US
(43) 13 Dec/déc 2001 (13.12.2001)
(54) • POST CHEMICAL-MECHANICAL
PLANARIZATION (CMP) CLEANING
COMPOSITION
• COMPOSITION DE NETTOYAGE
APRES PLANARISATION CHI-
MICO-MECANIQUE
(71) ESC, INC. [US/US]; 115 Research Drive,
Bethlehem, PA 18015 (US).
(72) NAGHSHINEH, Shahriar; 3422 Sturbridge
Place, Allentown, PA 18104 (US). BARNES,
Jeff; 562 Carol Lane, Bath, PA 18014 (US).
XU, Dingying; 532 2nd Avenue, Bethlehem,
PA 18018 (US).
(74) SIMMONS, James, C. et al. / etc.; Ratner
& Prestia, 301 One Westlakes (Berwyn), P.O.
Box 980, Valley Forge, PA 19482-0980 (US).
(81) CN JP KR.
(84) EP (AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR
IE IT LU MC NL PT SE TR).
(51) 7 H01L 21/321
(11) WO 01/95382 (13) A2
(21) PCT/US01/18539
(22) 7 Jun/juin 2001 (07.06.2001)
(25) en (26) en
(30) 09/589,818 7 Jun/juin 2000 US
(07.06.2000)
(43) 13 Dec/déc 2001 (13.12.2001)
(54) • DIAMOND AS A POLISH-STOP
LAYER FOR CHEMICAL-MECHANI-
CAL PLANARIZATION IN A DAMA-
SCENE PROCESS FLOW
• DIAMANT UTILISE COMME COUCHE
D’ARRET DE POLISSAGE POUR LA
PLANARISATION MECANO-CHI-
MIQUE DANS UN PROCESSUS DE
DAMASQUINAGE
(71) INFINEON TECHNOLOGIES NORTH
AMERICA CORP. [US/US]; 1730 North
First Street, San Jose, CA 95112-4508
(US). INTERNATIONAL BUSINESS MA-
CHINES CORPORATION [US/US]; New
Orchard Road, Armonk, NY 10504 (US).
(72) CLEVENGER, Lawrence, A.; 90 Andrews
Road, LaGrangeville, NY 12540 (US).
HSU, Louis; 7 Crosby Court, Fishkill, NY
12524 (US). STEPHENS, Jeremy, K.; 15
Ash Street #1, New Windsor, NY 12553
(US). WISE, Michael; 260 Walsh Road,
LaGrangeville, NY 12540 (US).
(74) BRADEN, Stanton, C. et al. / etc.; Siemens
Corporation - Intellectual Property Dept., 186
Wood Ave. South, Iselin, NJ 08830 (US).
(81) JP KR.
(84) EP (AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR
IE IT LU MC NL PT SE TR).
(51) 7 H01L 21/336, 21/8239, 21/28
(11) WO 01/95383
(21) PCT/FR01/01776
(13) A1
(22) 8 Jun/juin 2001 (08.06.2001)
(25) fr (26) fr
(30) 00/07419 9 Jun/juin 2000
(09.06.2000)
FR
(43) 13 Dec/déc 2001 (13.12.2001)
(54) • METHOD FOR MAKING AN ELEC-
TRONIC COMPONENT WITH
SELF-ALIGNED DRAIN AND GATE,
IN DAMASCENE ARCHITECTURE
• PROCEDE DE REALISATION D’UN
COMPOSANT ELECTRONIQUE
A SOURCE, DRAIN ET GRILLE
AUTO-ALIGNES, EN ARCHITECTURE
DAMASCENE.
(71) COMMISSARIAT A L’ENERGIE
ATOMIQUE [FR/FR]; 31/33, rue de la
Fédération, F-75752 Paris 15ème (FR).
(for all designated States except / pour tous
les États désignés sauf US)