TH ESE Mohamed H edi TOUATI TEST ET ... - Laboratoire TIMA

Chapitre 3
Adaptation au cas des MCMs
3.1 Introduction
A la n des annees 80, L'apparition sur le marche d'outils de conception de plus
en plus performants et ables conjuguee avec l'evolution extr^emement rapide de la
mise au point des technologies sub-microniques ont permis aux fabricants de semiconducteurs
de produire des circuits a hautes performances qui fonctionnent a des
frequences tres elevees. Cependant, les techniques de \packaging" n'ont pas connu la
m^eme evolution et commencerenta constituer un frein au developpement de systemes
rapides et compacts, surtout au niveau des temps de propagations (delay onchipto-chip
signal path), temps de montee, etc. De ce fait, une solution s'imposait
et les recherches ont ete entreprises dans le but de trouver un moyen de diminuer
l'espacement moyen entres les dierents circuits dans les systemes electroniques.
3.1.1 Technologie WSI
L'approche utilisee dans la technologie WSI (Wafer Scale Integration) consiste a regrouper
sur la m^eme tranche de silicium tous les composants requis par l'application
envisagee et les interconnecter directement par des diusions. Mais ce type de realisation
s'est heurte a plusieurs obstacles :
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