Proceedings - Viện Vật lý

Advances _________________________________________________________________________________in Optics, Photonics, Spectroscopy and Applications. Aug. 2006, Cantho, VietnamCdSe chế tạo ở các nhiệt độ khácnhau. Độ bán rộng của các đỉnhphổ khoảng 30 nm chứng tỏ tínhđơn phân tán cao, kết quả nàyphù hợp với nhiều công bố trênthế giới (độ bán rộng khoảng 32nm [6], độ bán rộng phổ đạtkhoảng 23 nm đối với mẫu thựchiện kết tủa chọn lọc [7]). Dochúng tôi đã phun rất nhanhdung dịch TOPSe vào dung dịchCd nên tốc độ tạo mầm tinh thểnhư nhau và tốc độ lớn lên củatinh thể như nhau dẫn đến kíchthước khá đồng đều. Khi nhiệtđộ phản ứng tăng thì cực đạiphát xạ dịch chuyển về phía sóngdài và độ bán rộng phổ tăng:mẫu CdSe chế tạo ở 260 0 C phátquang màu xanh vàng (567 nm)có độ bán rộng phổ là 30 nm vàở 290 0 C phát quang màu vàng(587 nm) có độ bán rộng phổ là50 nm. Nhiệt độ phản ứng caodẫn đến tốc độ phản ứng xảy ranhanh tạo đồng thời nhiều mầmtinh thể nhỏ và tốc độ phát triểntinh thể nhanh, sau một thời giancác tinh thể nhỏ có thể kết đámtạo ra tinh thể lớn theo quá trìnhOstwald [8] do đó kích thước hạttăng. Bước sóng phát xạ của cácchấm lượng tử phụ thuộc vàokích thước tinh thể do đó có thểHình 3: Phổ huỳnh quang của CdSe chế tạo ở cácnhiệt độ khác nhau: 1) 260 0 C; 2) 290 0 C.Hình 4: Phổ huỳnh quang của CdTe chế tạo ở cácnhiệt độ khác nhau: 1) 260 0 C; 2) 240 0 C.điều chỉnh kích thước hạt để nhận được bước sóng phát xạ như mong muốn. Đốivới phương pháp đi từ CdO thì dễ điều chỉnh kích thước hạt hơn đi từ Cd(CH 3 ) 2 doCdO tạo phức khá bền vững với các chất hữu cơ như dodecylphosphonic axít làmcho tốc độ phản ứng hình thành CdSe chậm hơn nhiều khi sử dụng Cd(CH 3 ) 2 tạo racác điều thuận lợi: có thể giảm nhiệt độ phản ứng, tốc độ hình thành mầm và pháttriển tinh thể phụ thuộc vào tốc độ phun TOPSe nên thời gian phản ứng chậm chophép thao tác thực nghiệm dễ dàng hơn, dễ lặp lại hơn.Dựa trên các công bố của các nhóm P.Reiss, Bawendi và Alivisator, bước đầuchúng tôi đã thử nghiệm và nghiên cứu một số điều kiện công nghệ chế tạo chấmlượng tử CdTe. Kết quả được thể hiện trên hình 4. Hình 4 là phổ huỳnh quang củaCdTe chế tạo ở các nhiệt độ khác nhau. Phổ huỳnh quang cho thấy các mẫu CdTecũng có bán độ rộng phổ khoảng 30 nm, phân bố kích thước hẹp.211