Proceedings - Viện Vật lý

Advances _________________________________________________________________________________in Optics, Photonics, Spectroscopy and Applications. Aug. 2006, Cantho, VietnamTừ những kết quả mô phỏng thu được chúng tôi đề ra phương pháp xác địnhcác thành phần phổ dựa vào giản đồ pha 3 chiều:+ Xác định sự góp mặt của thành phần FKO: Do thành phần FKO góp mặt rấtlớn trong phổ PR nên luôn có mặt trong phổ PR. Do đó, đầu tiên ta cần xác địnhchính xác đâu là mặt phẳng dao động của thành phần FKO. Ta gọi đây là mặt phẳngchính ( ở Hình 8 là mặt phẳng (ABC)). Đây là nhân tố chính giúp ta xác định sự cómặt của các thành phần phổ còn lại.+ Xác định sự góp mặt của thành phần eciton: Do thành phần eciton chỉảnh hưởng đến phổ PR tại lân cận năng lượng vùng cấm. Do đó, ta quan sátđỉnh (ở hình 9 là đỉnh D) tại lân cân năng lượng vùng cấm, nếu đỉnh đó khôngnằm trên mặt phẳng chính. Ta kết luận: có sự góp mặt của thành phần eciton.+ Các thành phần khác xác định tương tự.3. Kết luậnXuất phát từ lý thuyết tổng quát trong phương pháp Quang-phản xạ, chúng tôiđã tiến hành mô phỏng phổ PR của một số bán dẫn GaAs, InP và phổ PR của cấutrúc đa lớp dị thể AlxGa1 xAs / GaAs / GaAs . Bước đầu đã thu được những kết quảphù hợp với thực nghiệm. Nhằm xác định sự có mặt của các thành phần trong phổPR dựa vào kỹ thuật lock-in hai kênh, chúng tôi đã đưa ra mô hình giản đồ pha 3D.Chúng tôi hy vọng đây là một sáng kiến nhỏ đóng góp trong việc phân giải phacũng như phân tích phổ PR.Lời cảm ơnCác tác giả xin chân thành cảm ơn sự hỗ trợ của Trung tâm hỗ trợ nghiên cứu Châu Á(ĐHQG Hà Nội) trong đề tài có liên quan đến báo các này.Tài liệu tham khảo1. W. Kircher, R.Kuzmenko, S Hidebrandt, and J. Schreiber, Comprehensive theoreticalmodel for the simulation of photoreflectance spectra from gallium arsenide, J. Appl.Phys, (1993).2. A. V.Ganzha, V. Kuz’menko, V. Kircher, J. Schreiber, and S. Hildebrandt, Lock-inphase analysis of n-GaAs photoreflectance spectra. Semiconductors 32 (3), AmericanInstitute of Physics, (1998).3. Vương Trung Kiên, Phổ quang phát quang và quang phản xạ ở cấu trúc đa lớp dị thểGa1 xAlxAs và bán dẫn InP, Khóa luận tốt nghiệp, ĐH Khoa hoc Tự nhiên, (2006).505