Proceedings - Viện Vật lý

Advances _________________________________________________________________________________in Optics, Photonics, Spectroscopy and Applications. Aug. 2006, Cantho, Vietnamhợp phổ của 3 thành phần: R R R R A R R R R R/R : Phổ PR của AlxGa1 xAs / Air .s/ i1R/R i2s i1 i2R R : Phổ PR của AlxGa1 xAstại lớp tiếp xúc.: Phổ PR của GaAs tại lớp tiếp xúc.( 2.15 )Hệ số A thể hiện sự giảm tín hiệu PR tại lớp tiếp xúc do bị hấp thu, A 1.Tiến hành mô phỏng và so sánh thực nghiệm mà các cộng sự [3] thu được tạiPTN Quang-quang phổ, ĐH KHTN TP HCM kết quả nhận được như hình 6.Hình 6. So sánh phổ PR của n Al0.05 Ga0.95 As / p GaAs / p GaAsgiữa lý thuyết và thực nghiệm với các thông số hiệu chỉnh: A=0.4.6 3AlGaAs : E 1.489eV ,F 2.5 10 V / m, 13.5 10 meVGaAs2.3. Phân giải pha phổ PRgs6 3Eg 1.423eV ,Fs1.7 10 V / m, 12.5 10 meVTrong quá trình phân tích phổ PR, chúng ta cần xác định được sự có mặt củatừng thành phần trong phổ PR. Điều này có thể biết được nhờ kỹ thuật phân giảipha trên lock-in hai kênh và mô hình giản dồ pha 3D.Khi xét đến sự trễ pha, phổ PR của tùng thành phần được diễn tả như sau [2] :nR Rj2E, Fs , , E,Fs 1i2 2j( 2.16 )R R 1 j1 jMỗi thành phần có sự trễ pha riêng tương ứng với mặt phẳng dao động riêng:Y ImjE 1ij tanj j( 2.17 )X E Re 1ijjTín hiệu PR của từng thành phần thu được từ lock-in hai kênh X và Y được cho bởi: R E r E i E e X E iY E ( 2.18 )R503