Proceedings - Viện Vật lý

_________________________________________________________________________________Những tiến bộ trong Quang học, Quang tử, Quang phổ và Ứng dụng. 8/2006, Cần Thơ, Việt Namđược ghép với một sợi quang, đầucòn lại của sợi quang là connectorFC. Đầu connector được đặt sátgương phản xạ ngoài, hình thànhmột buồng cộng hưởng ngoài giữagương phản xạ và mặt phát thứ haicủa laser diode. Một photodiodeđược đặt trước mặt phát còn lại củachip laser nhằm thu bức xạ laser khicó hiệu ứng buồng cộng hưởngngoài . Tín hiệu photodiode thuđược chuyển tới máy đo đặc trưng P(I). Kết cấu laser module cho phép quan sátđược đặc trưng công suất của laser trước và trong khi đưa xon khí vào buồng cộnghưởng ngoài.3. Kết quả và bàn luậnPD LD Sợi quangMáy đoP(I)ConnectorFCNguồn tạoxon khí3.1. Ảnh hưởng của phản hồi quang đến cấu trúc phổ của laser diodeGương phảnxạHình 2. Hệ nghiên cứu đặc trưng P(I)Trong sơ đồ thực nghiệm (hình 1) khi chưa có cuvet chứa xon khí, ta có hệnghiên cứu ảnh hưởng của phản hồi quang tới cấu trúc phổ của laser diode. Trướckhi tiến hành nghiên cứu chúng tôi khảo sát cấu trúc phổ của chip laser phát ở bướcsóng = 670 nm sử dụng trong nghiên cứu. Tại các dòng kích dưới ngưỡng (a), sátngưỡng (b) và trên ngưỡng (c) phát laser ta thu được cấu trúc phổ được thể hiện trênhình 3.1,00,80,60,40,20,0650 655 660 665 670 675B­íc sãng (nm)0,70,60,50,40,30,20,10,0656 658 660 662 664B­íc sãng (nm)1,21,00,80,60,40,20,0656 658 660 662 664B­íc sãng (nm)(a) (b) (c)Hình 3. Cấu trúc phổ của của chip laser diode ( = 670 nm) khi chưa có phản hồi ở cácdòng bơm: a) I op = 30 mA; b) I op = 35 mA; c) I op = 38 mA1,21,00,80,60,40,20,0656 658 660 662 664B­íc sãng (nm)1,21,00,80,60,40,20,0656 658 660 662 664B­íc sãng (nm)0,70,60,50,40,30,20,10,0656 658 660 662 664B­íc sãng (nm)(a) (b) (c)Hình 4. Cấu trúc phổ của của chip laser diode ( = 670 nm) khi có phản hồiở các dòng bơm: a) Iop = 30 mA; b) Iop = 35 mA; c) Iop = 38 mA426