Proceedings - Viện Vật lý

Advances _________________________________________________________________________________in Optics, Photonics, Spectroscopy and Applications. Aug. 2006, Cantho, VietnamI 0 /I 0 = 0,5 2 (1-D)(f c /f s ) 2 (6)Bằng cách chọn giá trị thích hợp của nguồn switching và tần số lọc thì đỉnhđỉnhcủa dòng qua đèn có thể là không đáng kể khi làm thay đổi lối ra của Laser. Sửdụng bộ nguồn điện xung cấp cho đèn flash với các thông số xung thích hợp và cóđộ rộng xung phóng qua đèn tối ưu chúng ta có được một bộ nguồn gồm cả nguồndòng Simmer cho Laser hoạt động phát ở chế độ xung.3. Thiết kế mạch điện.Sơ đồ khối mạch điện tử cung cấp năng lượng cho Laser Nd + -YAG được thiếtkế gồm các phần chính như sau:Khối NguồnchínhD3SCRT4TrigerKhối Nguồn dòngSimmerC3R17, R18SpargapC9Flash lampHình 3. Sơ đồ khối nguồn cung cấp năng lượng cho đèn Flash Xe-non3.1. Nguồn điện chính nạp điện cho tụ:Đây là mạch tạo cao áp một chiều ổn định và có thể điều chỉnh được (từ 780VDC đến 950V DC) (hình 4). Để thiết kế nguồn điện này chúng tôi sử dụng các linhkiện chính như sau: IC điều biến độ rộng xung (UC 3842) là linh kiện thuộc họchuyên dùng chế tạo nguồn swiching có chân 2 nối từ mạch phản hồi điện áp lối ra,để thay đổi điện thế cao áp lối ra ta điều chỉnh giá trị chiết áp phản hồi, chân 3 điềukhiển và bảo vệ dòng theo từng xung phản hồi về. IC đệm (IRF 7309) phối hợp giữalối ra của UC 3842 và Gatecủa Transistor trườngMOSFET. Transistor trườngloại MOSFET (IRF P264),biến áp xung (tỷ lệ 1:22) tạoxung điện áp cao lối ra, cácdiode cao áp D3 (16 BT 120)nắn thành phần một chiềunạp cho tụ C3 giá trị điện ápU 0 . Ngoài ra còn các linhkiện khác (tụ và trở các loại)Hình 4. Sơ đồ nguyên lý nguồnnạp tụ đènphối hợp chế độ làm việc .3.2. Mạch Triger và chế độ phóng điện qua đèn flash311