Proceedings - Viện Vật lý

Những tiến bộ trong Quang học, Quang tử, Quang phổ và Ứng dụng. 8/2006, Cần Thơ, Việt Nam_________________________________________________________________________________xung vàoE(t+)E(t)LTinh thể phi tuyếnHình 1: Cấu hình giao thoa kế cơ bản để đo hàm tự tương quan [1].chúng ta sẽ xác định được hàm còn lại F(t). Với các xung laser cực ngắn, người tadùng xung laser để đo lường chính nó, vì vậy phương pháp này gọi là phương phápxác định hàm tự tương quan [1].Trong thực hiện phép đo, bằng cách nào đó ta tách xung laser cực ngắn thànhhai xung giống nhau, chúng truyền đi theo hai đường khác nhau rồi tái hợp lại trongmột cấu hình giao thoa (hình 1). Tín hiệu kết hợp của hai xung được ghi lại như mộthàm của thời gian trễ giữa hai xung, biểu diễn mối tương quan giữa hai xung ởnhững thời điểm khác nhau và được gọi là hàm tự tương quan.2.2. Thiết kếThiết kế cho thiết bị này đã được phân tích [2]. Xét cấu hình (hình 1), trong đóđộ dài một nhánh của giao thoa kế Michelson được biến điệu bằng hệ gương quayM 1 , M 2 (hình 2). Sau khi qua tấm chia chùm S, trong nhánh thứ nhất chùm sáng tớigương M 4 , sau đó phản xạ lại và tới tinh thể phi tuyến KDP. Trong nhánh thứ hai,chùm sáng đến gương M 1 , phản xạ tới gương M 2 , tới gương M 3 sau đó phản xạ lạitheo quang trình ban đầu và cùng tới tinh thể KDP. Tín hiệu 2 - vết tự tương quan- được thu bằng nhân quang điện PM và được hiển thị trên dao động ký. Cần chú ýrằng: cấu hình này có thể đo vết tự tương quan cường độ hoặc vết tự tương quangiao thoa nhờ một sự thay đổi quang học đơn giản.Khi quay hệ gương một góc θ, quang trình sẽ thay đổi một lượng L là:Đầu thu1 cos21 cosL 2l 4R sin 2sin (1)Đối với góc θ