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Ergebnisse und Diskussion 93
mittlere Gitterebeneabstand für beide Kristallstrukturen gleich. Aus diesem Grund
kann die Modifikation des Kristallgitters alleine anhand von TEM-Daten nicht
bestimmt werden.
Die HRTEM-Untersuchungen zeigen, dass einige CdSe-NP Defekte in der
Kristallstruktur aufweisen. Bei den Kristallen, die in der Abb. 5.5 dargestellt sind,
handelt es sich vermutlich um Versetzungen von Atomschichten.
Abbildung 5.5: HRTEM-Aufnahmen einzelner CdSe-Nanopartikel (Probe SD-6) in der
[110] Orientierung mit Defekten (Versetzungen) in der Struktur.
Eine genauere Aussage über die Art der Kristalldefekte, d. h. ob z. B. eine Stufen-
oder Schraubenversetzung vorliegt, ist mittels dieser Aufnahmen nicht möglich, da
bei der TEM-Analyse nur eine Projektion des Kristalls erhalten wird. 151 Energetisch
liegen Defekte, die in der Kristallstruktur auftreten, innerhalb der Bandlücke des
CdSe-Quantenpunktes. 86 Ein Elektron, das durch Absorption von Licht in das
Leitungsband angeregt wird, kann strahlungslos oder unter Abgabe eines
längerwelligen Lichtquants in diese Zustände relaxieren und von dort aus zurück
in das Valenzband übergehen. Dieser Prozess führt zu einer Senkung der
Fluoreszenzquantenausbeute der Halbleiter-Nanopartikel. 14 Diese Defekte können
ein Grund für die relativ niedrigeren Fluoreszenzquantenausbeuten
(s. Kap. 5.1.2.1) der in dieser Arbeit hergestellten NP im Vergleich zu Literatur-
daten sein. Während die Anzahl der Oberflächendefekte durch den Einsatz
stabilisierender Liganden oder durch den Aufbau einer anorganischen Schale