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Ergebnisse und Diskussion 154
die Untersuchung der lokalen elektronischen Struktur der fluoreszierenden
Zustände an der Partikeloberfläche bzw. im -volumen. Darüber hinaus sollen die
XEOL-Messungen an deponierten Partikeln als Grundlage für weitere XEOL-
Experimente an in einem gespeicherten Flüssigkeitströpfchen dispergierten
CdSe/ZnS-NP in der Partikelfalle dienen. Bei den XEOL-Messungen wurde die
Emission im Bereich von 200 – 900 nm detektiert. Außerdem konnte die
Röntgenabsorptionsfeinstruktur (NEXAFS) zum Vergleich auch durch die
Detektion der totalen Elektronenausbeute (TEY) bestimmt werden, da bei dieser
Experimentieranordnung kein Quadrupolspeicher benutzt wurde. Die elementspe-
zifische Anregung mit Synchrotronstrahlung erfolgte im kantennahen Bereich der
Halbleitermaterialien bzw. der Silica-Matrix und zwar an der Si 2p- (100 – 110 eV),
der S 2p- (150 – 180 eV), der Cd 3d- (400 – 450 eV) und der Zn 2p-Kante
(1020 – 1050 eV). 248
Es wurde zuerst die röntgenangeregte optische Fluoreszenz des Matrix-Materials
(SiO2) untersucht und zum Vergleich dazu die totale Elektronenausbeute
gemessen. Die Untersuchungen erfolgten an der Si-Kante im Bereich zwischen
102 – 110 eV. In Abb. 5.34 sind die XEOL-Spektren von reinen Silica-Kolloiden
(r = 80 ± 6 nm) und von CdSe/ZnS-dotierten Silica-Kolloiden (r = 225 ± 6 nm) auf
einer reinen Kupfer-Oberfläche, sowie TEY-Spektrum von den gleichen Multikern-
partikeln auf einer Graphit-beschichteten Kupfer-Oberfläche dargestellt. Man
beobachtet ein inverses XEOL-Spektrum. Jiang et al. 139,269 berichteten über dieses
Verhalten bei XEOL-Untersuchungen an porösen Silizium- sowie kristallinen ZnS-
Schichten und erklärten dieses Phänomen wie folgt: Die Quantenausbeute des
XEOL-Prozesses ist bezüglich der Energie in der Regel eine lineare Funktion aller
absorbierten Photonen, d. h. der Verlauf aller primären und sekundären Zerfalls-
prozesse, die auf die Anregung eines Innerschalen-Elektrons folgen, bestimmen
diesen Prozess. Ändert man nun schrittweise die Photonenergie von einem Wert
unterhalb zu einem Wert oberhalb einer bestimmten Absorptionskante, so kann
Folgendes auftreten: Bei Anregung im Bereich vor der Kante finden elektronische
Übergänge in Zustände statt, die kurz über dem Leitungsband liegen und unter
Abgabe eines Photons im UV-VIS-Bereich relaxieren (s. Kap. 3.6.1), der XEOL-
Prozess hat eine hohe Effizienz. Oberhalb der Absorptionskante wird