Dokument 1.pdf (10.328 KB) - OPUS - Universität Würzburg
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Ergebnisse und Diskussion 158<br />
Novak at al. 274 haben bei Untersuchungen von CdS-Clustern unterschiedlicher<br />
Größe (d = 0.7 – 2.0 nm) mit weicher Röntgenstrahlung Absorptionsmaxima im<br />
Bereich von 164 – 166 eV beobachtet. Bei einem CdSe/ZnS-Kern-Schale-<br />
Partikelsystem sollten Cd-S-Bindungen an der CdSe/ZnS-Grenzfläche auftreten.<br />
Die Ergebnisse der ramanspektroskopischen Untersuchungen an CdSe/ZnS-NP<br />
stützen die Annahme, dass es sich um Cd-S-Banden handeln könnte<br />
(s. Kap. 5.1.5.1). Dabei wurden für CdS-Strukturen charakteristische longitudinale<br />
Phononenmoden identifiziert. Eine genauere Aussage über den Ursprung von<br />
dieser Emissionsbande kann aber allein anhand dieser XEOL-Messungen nicht<br />
getroffen werden. Die breite Bande bei ca. 175 eV kann durch einen elektro-<br />
nischen Übergang aus dem S 2p- in das leere S 3d-Orbital erklärt werden. Bei den<br />
Untersuchungen von CdS-Schichten auf ZnSe-Oberfläche haben Han et al. 275<br />
diesen Übergang dem tetraedrisch koordinierten S-Atom in einer kubischen<br />
Kristallgitter zugeordnet. Bei Messungen an der S L-Kante (150 – 180 eV) muss<br />
auch berücksichtigt werden, dass sich in diesem Bereich ebenfalls die M-Kante<br />
des Selens befindet (3p1/2 : 166.5 eV, 3p3/2 : 160.7 eV). 248 Die Überlagerung<br />
mehrerer elektronischer Übergänge kann zu einer zusätzlichen Verbreiterung der<br />
Maxima führen. 144<br />
Bei den Untersuchungen der CdSe/ZnS-dotierten Silica-Kolloide an der Cd<br />
3d-Kante wurden ein XEOL und ein TEY-Signal registriert. Das XEOL-Spektrum<br />
zeigt in diesem Fall keine Inversion (s. Abb. 5.36). Eine mögliche Erklärung dafür<br />
ist, dass bei CdSe/Zns-NP, die für ihre hervorragenden Fluoreszenzeigenschaften<br />
bekannt sind, die Wahrscheinlichkeit einer strahlenden Rekombination der<br />
Ladungsträger sehr hoch ist. Offensichtlich überwiegen bei der Anregung im<br />
Bereich nach der Absorptionskante auch weiterhin die elektronischen Übergänge<br />
in Zustände, die kurz über dem Leitungsband liegen und unter Abgabe eines<br />
Photons im sichtbaren Bereich relaxieren. Dieser Prozess wird wahrscheinlich<br />
auch durch eine homogene Verteilung der fluoreszierenden Zustände im CdSe-<br />
Kern begünstigt. 139 Man erhält bei XEOL- und bei TEY-Messung ein typisches<br />
Röntgenabsorptionsspektrum für nanokristallines CdSe mit NEXAFS-Strukturen<br />
bei 410 – 412 eV und 415 – 420 eV und eine Spin-Bahn-Aufspaltung von<br />
6.8 ± 0.3 eV (CdSe-Festkörper: 6.76 eV). 144 Die Positionen der NEXAFS-
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