Dokument 1.pdf (10.328 KB) - OPUS - Universität Würzburg
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Methoden der Charakterisierung 35<br />
elektronen pro Zeiteinheit als Funktion des Auftreffpunktes des Primärstrahls<br />
ergibt ein Sekundärelektronenbild (engl.: secondary electron image, SEI), das zur<br />
Untersuchung der Topographie des Objekts genutzt werden kann.<br />
Zum anderen können beim Beschuss der Probe mit Primärelektronen auch die<br />
Rückstreuelektronen erzeugt und detektiert werden (s. Abb. 3.2b). Dabei wird ein<br />
Rückstreubild (engl.: backscattered electrons image, BEI) erhalten. Die Rück-<br />
streuelektronen entstehen aufgrund mehrfacher elastischer und inelastischer<br />
Streuprozesse. Sie treten meist aus größeren Probentiefen, von einhundert Nano-<br />
metern bis zu zwei Mikrometern aus und haben eine Energie, die zwischen 50 eV<br />
und der Primärenergie liegt. Die Detektion der Rückstreuelektronen erfolgt mit<br />
einem Rückstreudetektor und liefert Informationen über Materialunterschiede in<br />
der Probe. Die Vergrößerung im REM erfolgt nicht wie im TEM über abbildende<br />
Linsen, sondern durch die Verkleinerung des abgerasteten Probenbereichs<br />
(Erhöhung der Punktdichte). Der gesamte Vorgang findet normalerweise im Hoch-<br />
vakuum statt, um Wechselwirkungen mit Atomen und Molekülen in der Luft zu<br />
vermeiden. Um zu verhindern, dass sich das Präparat durch den Elektronenstrahl<br />
elektrisch auflädt, wird die Oberfläche der zu untersuchenden Probe häufig mit<br />
einem dünnen Film aus einer leitenden Substanz (meistens Kohlenstoff oder Gold)<br />
bedampft.<br />
3.3 Massenspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma<br />
(ICP-MS)<br />
Diese Analysenmethode ermöglicht die quantitative Bestimmung einer Vielzahl<br />
von Elementen im Spurenbereich. Da jedes Element mindestens ein Isotop<br />
aufweist, dessen Masse bei keinem natürlichen Isotop eines anderen Elements<br />
auftritt, ist die Masse eine charakteristische Eigenschaft der Elemente. Dies wird<br />
sowohl zum qualitativen als auch zum quantitativen Nachweis genutzt.<br />
ICP-MS beruht auf der Ionisierung des zu analysierenden Materials in einem<br />
Plasma bei 5000 – 10000°C. Zur Erzeugung des Plasmas wird ein hochfrequenter
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