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Ergebnisse und Diskussion 149
Ladestrom [willk. Einheiten]
C1s π∗
Siloxan-Block/
Graft-Copolymer-
Tropfen
282 283 284 285 286 287
Photonenenergie [eV]
530 540 550 560 570
Photonenenergie [eV]
Abbildung 5.31: Ladeströme dQ/dt der Aufladungskurven (aufgetragen gegen die
Photonenenergie), die an dem Dimethylsiloxan-(60% Propylenoxid-
40% Ethyloxid)-Block/Graft-Copolymer im Bereich der C 1s- (a) und
O 1s- (b) Kanten aufgenommen wurden. In (b) ist der Ladestrom
dQ/dt der Aufladungskurve eines gespeicherten reinen Silica-Partikels
(r = 250 nm) im Bereich O 1s- Kante zum Vergleich (graue Linie)
abgebildet. 32
Abstand (Si-C-Bindungslänge im Tetramethoxysilan ist 0.1877 nm) 253,254 im
Vergleich zur typischen C-C-Einfachbindung (C-C-Bindungslänge im Ethan ist z.
B. 0.139 nm) 250 kann eine Verschiebung der Resonanz zu kleineren Energien
verursachen. Die typische NEXAFS-Spektren von Silanen 255 bzw. Silizium-
haltigen Polymeren 256 zeigen elektronische Übergänge, die der Si-C-Bindung
zugeordnet werden können, auch bei etwas höheren Energie als in dem oben
dargestellten Spektrum(285 – 290 eV). Eine mögliche Erklärung dafür ist die durch
die Strahlung verursachte Dissoziation der C-H-Bindungen und darauf folgende
Bildung der C=C-Doppelbindungen, die typischerweise in Bereich 284 – 285 eV
liegen. 135,255 In diesem Fall handelt es sich dann um einen C 1s ���* Übergang. 135
Thywissen et al. 257 berichteten über diesen Effekt, der infolge einer Bestrahlung
von Siloxanen mit weicher Röntgenstrahlung bei NEXAFS-Untersuchungen
auftreten kann. Für die spektroskopischen Experimente an einem Tröpfchen war
es erforderlich, dieses unmittelbar vor der Messung aufzuladen (s. oben). Dazu
wurde der Polymer-Tropfen mit Synchrotronlicht 1 – 2 h bestrahlt. Somit können
Ladestrom [willk. Einheiten]
O 1s σ∗
a b
Silica-Kolloid
(r = 250 nm)
Siloxan-Block/
Graft-Copolymer-
Tropfen