Festkoerper

Weitere Magazine

Empfehlungen

Info

WS 2012/13, HHU Duesseldorf, Prof. Dr. Mathias Getzlaff Vorlesung: <strong>Festkoerper</strong>physik, inoffizielle Mitschrift by: Christian Krause, Matr. 1956616 6 HALBLEITER Es ist: • I gen n (0) = I rek n (0) • I gen n (U) = I gen n (0) I rek n (U) = x · exp I rek n (0) = x · exp ⇒ x = I gen n exp = I gen n eU · exp kBT −e(VD − U) kBT e(VD) = I kBT gen n (0) −e(VD) kBT Gesamtstrom Elektronen In(U) = I rek n (U) − I gen n (U) = I gen eU n exp kBT Gesamtstrom Löcher Ip(U) = I gen p eU · exp kBT Gesamtstrom: I(U) = (I gen n ⇒ I rek n (U) = I gen eVD −eVD eU n · exp · exp · exp kBT kBT kBT − 1 6.3 Halbleiter-Bauelemente + I gen eU p ) · exp kBT − 1 − 1 Exemplarisch Bauelemente, die auf p-n-Übergang basieren 6.3.1 Solarzelle • p-n-Übergang • Lichteinstrahlung → Elektronen und Löcher in Verarmungszone → Elektronen wandern in n-Bereich, Löcher wandern in p-Bereich → Aufladung 6.3.2 Bipolarer Transistor 1947 entwickelt, 1956 Nobelpreis 2 p-n-Kontakte: 1x Durchflussrichtung Emitter-Basis, 1x Sperrrichtung Basis-Kollektor Seite 58
WS 2012/13, HHU Duesseldorf, Prof. Dr. Mathias Getzlaff Vorlesung: <strong>Festkoerper</strong>physik, inoffizielle Mitschrift by: Christian Krause, Matr. 1956616 7 MAGNETISMUS 1. kleine Änderung δUEB ⇒ große Änderung IEB 2. Änderung UBC ⇒ kaum Änderung IBC 3. Breite der Basis 0 wegen paralleler Ausrichtung im Feld • Ausrichtung im externen Magnetfeld beeinflusst durch thermische Fluktuation → χ para (T ) • lokalisierte Momente Seite 59
Seite 1 und 2:
WS 2012/13, HHU Duesseldorf, Prof.
Seite 3 und 4:
Seite 5 und 6:
Seite 7 und 8: WS 2012/13, HHU Duesseldorf, Prof.
Seite 57: WS 2012/13, HHU Duesseldorf, Prof.
Alle anzeigen

Festkoerper

Erfolgreiche ePaper selbst erstellen

Template löschen?

Als Template speichern?