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Spinwellenanregung in magnetischen Nanohybridstrukturen (31,8 ...

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Domänenwände<br />

2.4.4 Gleichgewichtskonfigurationen der Magnetisierung<br />

<strong>in</strong> dünnen Streifen<br />

In erster Näherung können die Remanenz-Zustände der Magnetisierung von dünnen Streifen<br />

als homogen entlang e<strong>in</strong>er der beiden Richtungen der Längsachse des Streifens angesehen<br />

werden. Dies macht ferromagnetische Streifen und ähnliche Strukturen zu e<strong>in</strong>em potentiellen<br />

Kandidaten für e<strong>in</strong>e b<strong>in</strong>äre E<strong>in</strong>heit <strong>in</strong> der <strong>magnetischen</strong> Datenspeicherung. Genaugenommen<br />

ist jedoch die Vorstellung e<strong>in</strong>es Dünnschicht-Elements mit vollständig homogener Magnetisierung<br />

falsch. Sie kann aufgrund der <strong>in</strong> Abschnitt (2.1.3) beschriebenen Formanisotropie<br />

nur für e<strong>in</strong> ellipsoides Partikel realisiert werden [21]. Daher muss e<strong>in</strong> zweidimensionales<br />

Dünnschicht-Element, das im besten Fall elliptisch se<strong>in</strong> kann, um die Streufeldeffekte zu<br />

m<strong>in</strong>imieren, an den entsprechenden Stellen Inhomogenitäten <strong>in</strong> der Magnetisierung aufweisen.<br />

Im Spezialfall rechteckiger Dünnschicht-Elemente treten diese <strong>in</strong> Form von sogenannten<br />

Abschlussdomänen <strong>in</strong> Ersche<strong>in</strong>ung. Abbildung (2.8) zeigt Schemata von drei der möglichen<br />

Remanenz-Zustände für dünne weichmagnetische Streifen: Den S-Zustand, den C-Zustand<br />

und den Flower-Zustand.<br />

a)<br />

b)<br />

c)<br />

S-Zustand<br />

C-Zustand<br />

Flower-Zustand<br />

Abbildung 2.8: Schematische Übersicht möglicher Remanenz-Zustände <strong>in</strong> dünnen weich<strong>magnetischen</strong><br />

Streifen. S-Zustand (a), C-Zustand (b) und Flower-Zustand (c) weisen alle<br />

e<strong>in</strong>e <strong>in</strong>homogene Magnetisierung auf. Dies geschieht, um zu große Streufelder zu vermeiden.<br />

Grund für die Ausbildung von Abschlussdomänen ist der Versuch des Systems, die <strong>magnetischen</strong><br />

Oberflächenladungen σ M = m · n zu m<strong>in</strong>imieren. E<strong>in</strong>e teilweise Ausrichtung der<br />

Mag netisierung mit den schmalen Enden des Streifens wie im Fall des S- oder C-Zustandes<br />

führt bereits zu e<strong>in</strong>er signifikanten Reduzierung der Oberflächenladungen an den Enden<br />

des Streifens während die Magnetisierung im restlichen Teil der Struktur im Wesentlichen<br />

homogen ist, damit die Austauschenergie kle<strong>in</strong> bleibt. Die genaue Form e<strong>in</strong>es Dünnschicht-<br />

Elements kann großen E<strong>in</strong>fluss auf die Ausbildung von Abschlussdomänen haben, wie <strong>in</strong><br />

Kapitel 4 am Beispiel von Ni 81 Fe 19 -Streifen gezeigt wird.<br />

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