Fachhochschule Furtwangen, Prof. Dr.-Ing. M. J. Hamouda 000000 ...

Weitere Magazine

Empfehlungen

Info

Sie müssen nämlich eine hohe Benutzerfreundlichkeit mit kurzen Rechenzeiten verbinden. Dies geht nur dann, wenn die komplexen und rechenintensiven Prozesse in Halbleiterbauelementen entweder nicht ausreichend genau oder gar nicht berücksichtigt werden. In einigen Fällen werden besondere Annahmen gemacht, um zum Beispiel die Rechengeschwindigkeit oder die Stabilität des numerischen Verfahrens günstig zu beeinflussen. In SPICE werden beispielsweise thermische Rückkopplungsprozesse und das Durchbruchverhalten von Transistoren ignoriert. Ferner sind komplexere Bauelemente wie z. B. der Thyristor nicht zufriedenstellend implementiert. Dadurch wird eine gründliche Analyse des Latch-Up-Verhalten von CMOS-Schaltungen mit SPICE besonders erschwert. Ein weiterer wesentlicher Nachteil der Schaltungssimulatoren liegt darin, dass die erzielten Ergebnisse keine Rückschlüsse auf die grundlegenden physikalischen Prozesse im Halbleiterbauelement insbesondere bei Grenzbelastungen zulassen. Trotzdem stellen die Schaltungssimulatoren und speziell das Programm SPICE ein sehr wichtiges Werkzeung beim Entwurf von integrierten Schaltungen dar. Massgebend dafür sind nicht nur die Benutzerfreundlichkeit und die geringe Rechenzeit, sondern auch die Tatsache, dass die Halbleiterbauelemente nicht immer bei Grenzbelastungen eingesetzt werden. Ferner steht im allgemeinen das Verhalten der gesamten Schaltung und nicht einzelner Bauelemente im Vordergrund. Schliesslich ist die exakte Berücksichtigung aller relevanten Prozesse in einer integrierten Schaltung mit den zur Zeit bekannten Simulationsverfahren und der heutigen Rechnergeneration nicht durchführbar. Durch Kopplung von SPICE mit Bauelemente- oder Devicesimulatoren wie z. B. MEDICI können einfache Schaltungen mit Halbleiterbauelementen gründlicher analysiert werden. Dies ist allerdings mit einer gewaltigen Zunahme der Rechenzeit und des Speicherbedarfs sowie mit einer drastischen Abnahme der Benutzerfreundlichkeit verbunden. Im Vergleich mit SPICE bietet der neu entwickelte Netzwerksimulator SA- BER insbesondere die Möglichkeit, Schaltungskomponenten mit Hilfe mathematischer Funktionsgleichungen einfach zu beschreiben. 26) Die SPICE-Schaltungselemente können in vier Gruppen unterteilt werden. Passive Komponenten: ohmsche Widerstände, Kapazitäten, Induktivitäten, Gegeninduktivitäten, Leitungen. Ideale Quellen: unabhänbgige Strom- und Spannungsquellen, strom- und spannungsabhängige Stromquellen sowie strom- und spannungsabhängige Spannungsquellen. FHF-<strong>Hamouda</strong>, Analogelektronik, Seite V-16
�ÓÒÚ�ÖØ�ÓÑ��Ñ��ÑÝÚ��ÖÎ�ÂÈ��×Ú �Ô��Ô×� Bild 1-4Liste der SPICE-Befehle ([17], pp 2-13) FHF-<strong>Hamouda</strong>, Analogelektronik, Seite V-17
Seite 1 und 2: Fachhochschule Furtwangen, Prof. Dr
Seite 3 und 4: Mc Graw Hill 1989, ISBN 0-07-039957
Seite 5 und 6: 6 Transistor-Endstufen und Schutzei
Seite 7 und 8: Starkstromtechnik: Energieerzeugung
Seite 9 und 10: �j = σ ∗ �E bzw. �E = ρ
Seite 11 und 12: V6 R Maschenstromverfahren I3 R V 3
Seite 13 und 14: 18) Die Methode der Knotenpotential
Seite 15: Gi ist der resultierende Leitwert z
Seite 19 und 20: a) Dabei geht es um die Bestimmung
Seite 21 und 22: Ein hoher Diodenstrom I fliesst, de
Seite 23 und 24: Bipolartransistor 35) Der Transisto
Seite 25 und 26: IC = α ∗ IE + ICB0 mit α = αT
Seite 27 und 28: Transistorbetrieb Basis-Emitter-Dio
Seite 29 und 30: ) alle idealen Wechselstromquellen
Seite 31 und 32: Aufgrund der Umrechnungsbeziehungen
Seite 33 und 34: Arbeitspunktes von A nach A1 erreic
Seite 35 und 36: B i E b h 11e h u 12e ce h21e ib h2
Seite 37 und 38: Eine grobe Auflistung einiger wesen
Seite 39 und 40: Folgende Näherungen können sehr n
Seite 41 und 42: 4) Das elektrische Verhalten der li
Seite 43 und 44: Die Impedanz und Admittanz eines oh
Seite 45 und 46: �ÓÒÚ�ÖØ�ÓÑ��Ñ
Seite 47 und 48: Amplitude / dB Phase / Deg 0 −20
Seite 49 und 50: Amplitude / dB Phase / Deg 10 −10
Seite 51 und 52: Imaginaerteil Imaginaerteil −.1
Seite 53 und 54: Sprungantwort, Impulsantwort 11) Ei
Seite 55 und 56: Fachhochschule Furtwangen, Prof. Dr
Seite 57 und 58: Der Schnittpunkt der Transistorkenn
Seite 59 und 60: Da die Stabilisierungsfaktoren Glei
Seite 61 und 62: Der Transistor wird durch ein Ersat
Seite 63 und 64: Die Leerlaufstromverstärkung hat f
Seite 65 und 66: �ÓÒÚ�ÖØ�ÓÑ��Ñ
Seite 67 und 68:
c) Die Transistoren müssen die gle
Seite 69 und 70:
Mehrfache Stromquelle 8) Sehr häuf
Seite 71 und 72:
Vr B p−Basis B p−Basis E1 E2 E3
Seite 73 und 74:
Damit kann der Rückkoppelwiderstan
Seite 75 und 76:
10*UT ≈ 258,6 mV nicht überschre
Seite 77 und 78:
�ÓÒÚ�ÖØ�ÓÑ��Ñ
Seite 79 und 80:
Fachhochschule Furtwangen, Prof. Dr
Seite 81 und 82:
Wert gezielt eingestellt werden. Di
Seite 83 und 84:
U 1p U1n R 1p R 1n U p U n U d R 2p
Seite 85 und 86:
Zeigerverhältnis Übertragungsfunk
Seite 87:
dUa dUcm
Alle anzeigen

Fachhochschule Furtwangen, Prof. Dr.-Ing. M. J. Hamouda 000000 ...

Erfolgreiche ePaper selbst erstellen

Template löschen?

Als Template speichern?