Fachhochschule Furtwangen, Prof. Dr.-Ing. M. J. Hamouda 000000 ...

einzige gesteuerte Quelle ist auf die Stromverstärkung im Transistor zurückzuführen
und wird durch die Steilheit, die Transkonduktanz, bzw.
den Übertragungsleitwert gm dargestellt.
gm = ∂IC
∂UBE
[1.39]
62) Unter dem Early-Effekt versteht man die Abhängigkeit der Breite der Raumladungszone
eines pn-übergangs von der angelegten Spannung, Gl. (1.13),
und die damit verbundene Reduzierung der Basisbreite in einem Transistor
mit gesperrter CB-Diode.
Der Early-Effekt führt dazu, dass der Kollektorstrom im Ausgangskennlinienfeld
nicht konstant bleibt, sondern mit einem leichten Anstieg zunimmt.
In Spice wird angenommen, dass der Schnittpunkt der linear extrapolierten
Stromverläufe IC(UCE) mit der Spannungsachse vom Wert des Parameters
IB unabhängig ist. Der Schnittpunkt wird durch Angabe der Early-
Spannung VA charakterisiert.
−V A
Bild 1-22: Zur Definition der Early-Spannung
0
I C
Die normierte Änderung der Basisweite wB bezogen auf die normierte Änderung
der CB-Sperrspannung wird Rückwirkungsfaktor η genannt.
η = dwB
/
wB
ducb
ucb
63) Für das π-Ersatzschaltbild ergeben sich folgende Parameter.
a) Wenn IC, IB und VA bekannt sind, gilt:
R0 = VA
IC
IB
IB
I B
U CE
UT
[1.40]
, Rπ = VA
, Rν = UT
, gm = IC
. [1.41]
b) Wenn η, gm und β bekannt sind, gilt:
G0 = η ∗ gm, Gπ = gm
β , Gν =
η ∗ gm
. [1.42]
β
FHF-Hamouda, Analogelektronik, Seite V-38