Fachhochschule Furtwangen, Prof. Dr.-Ing. M. J. Hamouda 000000 ...
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) gmRE ≫ β Raus(RE) ≈ R0 ∗ [1 + (η + 1)β] > R0 ∗ β [4.15b]<br />
c) gmRE ≪ β Raus(RE) ≈ R0 ∗[1+(η + 1) ∗ gmRE] > R0 ∗ gmRE [4.15c]<br />
V w<br />
R R<br />
u π<br />
Uq<br />
Raus(RE) ≈ R0 ∗[1+(η + 1) ∗ ICRE<br />
] > R0 ∗ ICRE<br />
[4.15d]<br />
R π<br />
Rq<br />
i R<br />
gmuπ CB−Kurzschluss<br />
Transistor 1<br />
u π<br />
u x<br />
u x<br />
R π<br />
R 0<br />
R ν<br />
R π<br />
UT<br />
R ν<br />
gmux R E<br />
Transistor 2 mit Emitterwiderstand<br />
gmux R E<br />
R 0<br />
u out<br />
Bild 4-7: Kleinsignalersatzschaltbild der Widlar-Stromquelle<br />
Nach (4.12b) nimmt der Widerstand Rr exponentiell mit der Spannung über<br />
RE (IE ∗ RE ≈ IC ∗ RE) ab. Zu kleine ohmsche Widerstände können in der<br />
Si-Technologie nicht ausreichend genau und nicht mit der notwendigen Reproduzierbarkeit<br />
hergestellt werden.<br />
Damit Rr nach Gl. (4.12) nicht allzu niedrig wird (e 10 = 2,2 10 4 ), darf der<br />
Spannungsabfall über RE (≈ IC ∗ RE = gm ∗ RE ∗ UT) den Wert von ca.<br />
UT<br />
R 0<br />
u out<br />
FHF-<strong>Hamouda</strong>, Analogelektronik, Seite V-74
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