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Fachhochschule Furtwangen, Prof. Dr.-Ing. M. J. Hamouda 000000 ...

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Bipolartransistor<br />

35) Der Transistor (Transfer Resistor, Übertragungswiderstand) stellt ein dreipoliges<br />

Halbleiterbauelement dar, dessen wesentliche Eigenschaft die Verstärkung<br />

elektrischer Ströme ist.<br />

I<br />

I<br />

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E0000<br />

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Metall<br />

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E0000<br />

1111<br />

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Ohmscher Kontakt<br />

Emitter Basis<br />

Emitter<br />

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p−Halbleiter p−Halbleiter<br />

Metall<br />

n−Halbleiter<br />

Ohmscher Kontakt<br />

0000 1111<br />

Kollektor 0000 1111<br />

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0000 1111<br />

0000 1111<br />

0000 1111<br />

0000 1111<br />

0000 1111<br />

Ohmscher Kontakt Ohmscher Kontakt<br />

0000 1111<br />

Basis Kollektor 0000 1111<br />

0000 1111<br />

0000 1111<br />

p−Halbleiter 0000 1111<br />

0000 1111<br />

0000 1111<br />

0000 1111 0000 1111<br />

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0000 1111<br />

n−Halbleiter n−Halbleiter<br />

I<br />

I<br />

B<br />

B<br />

Bild 1-8: Schematischer Aufbau und Schaltsymbol des Transistors<br />

Die Verstärker-Eigenschaft macht aus dem Transistor den wichtigsten Grundbaustein<br />

aller elektronischen Schaltungen.<br />

Aufbau und Funktionsweise<br />

36) Der Aufbau eines Transistors besteht im wesentlichen aus drei metallkontaktierten<br />

Halbleitergebieten mit der Polaritätsfolge pnp oder npn, Bild 1-8.<br />

Hier sind auch die Schaltsymbole für den pnp- bzw. npn-Transistor angegeben.<br />

Das Mittelgebiet wird Basis genannt. Die Endgebiete stellen den Emitter<br />

und Kollektor dar. Emitter und Kollektor sind nicht vertauschbar.<br />

Die Transistorstruktur kann als zwei gegeneinander gepolte Halbleiterdioden<br />

bzw pn-Übergänge aufgefasst werden.<br />

37) Die Funktionsweise des Transistors soll anhand der beschalteten pnp-Struktur<br />

mit der Querschnittsfläche A im Bild 1-9 erläutert werden. Hier sind die<br />

Emitter-Basisdiode in Flussrichtung und die Kollektor-Basis-Diode in Sperrichtung<br />

gepolt.<br />

Die positiven Ladungen (Löcher) am linken Emitterrand bilden den Emitterstrom<br />

IE und fliessen in Richtung Kollektor.<br />

Sie können durch Rekombination im Emittergebiet (Emitterrekombination,<br />

Endzonenrekombination, Rekombination in den hochjdotierten Zonen)<br />

und Rekombination in der Basis (Basisrekombination) teilweise verloren<br />

gehen, Bild 1-10.<br />

I<br />

I<br />

C<br />

C<br />

B<br />

B<br />

FHF-<strong>Hamouda</strong>, Analogelektronik, Seite V-23<br />

E<br />

C<br />

C<br />

E

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