Fachhochschule Furtwangen, Prof. Dr.-Ing. M. J. Hamouda 000000 ...

und Begrenzung), im Hochfrequenzbereich (Modulation, Mischung, Frequenzabstimmung),
im Mikrowellenbereich (Mikrowellenerzeugung, Gleichrichtung,
Verstärkung, Mischung), in der Optoelektronik (Photodioden, Lumineszenzdioden,
Laserdioden, Solarzellen) und als Schalter eine sehr grosse
Bedeutung erlangt hat.
0
I
Usch
Bild 1-7: Vereinfachte Darstellung der Diodenkennlinie mit Hilfe von 2
Halbgeraden
33) Bei der Analyse linearer Schaltungen und für Anwendungen im Niederfrequenzbereich
bei Durchlass- und schwacher Sperrpolung kann eine deutliche
Reduzierung des Rechenaufwandes erzielt werden, wenn die Diodenkennlinie
durch zwei stückweise lineare Funktionen (Halbgeraden) approximiert
wird.
I = 0 für U ≤ Usch (1.18a)
U =I ∗ Rd + Usch für U ≥ Usch, (1.18b)
Rd ≥ 0, und Usch ≥ 0 bzw. Usch ≈ 0.6 ... 0.8 V (1.18c)
Dabei stellen Rd den Diodenwiderstand und Usch die Dioden-Schwellspannung
dar.
Die Höhe der Eingangsspannung ist dafür massgebend, ob die Dioden-
Schwellspannung Usch vernachlässigt werden kann.
34) Ein pn-Übergang besteht aus den äusseren (quasi)-neutralen Bahngebieten
und aus einer mittleren Zone, in der die Fremdatome ionisiert erscheinen.
Die Breite dieser Raumladungzone ist spannungsabhängig (Early-Effekt).
�
wRLZ(U) = wRLZ(0) ∗ 1 − U
. (1.19a)
UD
UD ≈ 0.6 ... 0.8 V (1.19b)
UD ist die Diffusionsspannung.
R d
FHF-Hamouda, Analogelektronik, Seite V-22
U