Fachhochschule Furtwangen, Prof. Dr.-Ing. M. J. Hamouda 000000 ...
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Folgende Näherungen können sehr nützlich sein.<br />
η ≪ 1 , β ≫ 1, VA ≫ UT [1.43]<br />
Im Einzelfall muss allerdings überprüft werden, ob diese Näherungen verwendet<br />
werden dürfen.<br />
T-Ersatzschaltbild<br />
64) Eine weitere Möglichkeit, das Kleinsignalverhalten des Transistors zu analysieren<br />
bietet das T-Ersatzschaltbild, das mit einer einzigen stromgesteuerten<br />
Stromquelle auskommt.<br />
Das T-Ersatzschaltbild kann durch Umformung der Vierpolgleichungen in<br />
Z-Form und Überführung in eine Schaltung mit einer einzigen gesteuerten<br />
Quelle einfach gewonnen werden.<br />
C D<br />
E IE<br />
Re<br />
U EB<br />
C ES<br />
I B<br />
αI<br />
C CS<br />
I C<br />
R<br />
B UCB<br />
B B<br />
Bild 1-23: Kleinsignal-T-Ersatzschaltbild des Transistors<br />
Die drei Zweige im T-Ersatzschaltbild werden dem Emitter, dem Kollektor<br />
und der Basis zugeordnet.<br />
Im Emitterzweig sind die Diffusionskapazität CD der flussgepolten Emitter-<br />
Basis-Diode, der Emitterwiderstand Re, und die Sperrschichtkapazität Ces<br />
angegeben.<br />
Im Kollektorzweig sind die stromgesteuerte Stromquelle α ∗ ie, der Kollektorwiderstand<br />
Rc und die Sperrschichtkapazität Ccs dargestellt. Die Diffusionskapazität<br />
entfällt, da die Kollektor-Basis-Diode gesperrt ist.<br />
Im Basiszweig ist nur der Basiswiderstand vorhanden.<br />
e<br />
E<br />
Rc<br />
FHF-<strong>Hamouda</strong>, Analogelektronik, Seite V-39<br />
C
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