Fachhochschule Furtwangen, Prof. Dr.-Ing. M. J. Hamouda 000000 ...
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IC = α ∗ IE + ICB0 mit α = αT ∗ γ (1.23a)<br />
IC = α<br />
1 − α ∗ IB + 1<br />
∗ ICB0<br />
1 − α<br />
IC = β ∗ IB + (β + 1) ∗ ICB0 mit β =<br />
(1.23b)<br />
α<br />
.<br />
1 − α<br />
(1.23c)<br />
Dabei stellt α den Stromverstärkungsfaktor in Basisschaltung und β den<br />
Stromverstärkungsfaktor in Emitterschaltung dar.<br />
Zur Herleitung der beiden letzten Gleichungen wurde die Kirchoff’sche<br />
Knotenregel für die Transistorströme berücksichtigt.<br />
Kennlinienfelder<br />
IE = IB + IC . (1.24)<br />
38) Die elektrischen Transistor-Eigenschaften im statischen Betrieb werden im<br />
allgemeinen durch mehrere Kennlinienfelder beschrieben.<br />
39) Die Kurvenschar IC = f(UCE) mit IB als Parameter stellt das Ausgangskennlinienfeld<br />
(in Emitterschaltung) dar, Bild 1-11. Es ist leicht zu erkennen,<br />
dass alle Transistor-Kennlinien verschobene Strom-Spannungs-Charakteristiken<br />
der gesperrten Kollektor-Basis-Diode darstellen.<br />
I<br />
I<br />
K<br />
C,A<br />
0<br />
I C<br />
A<br />
U U<br />
CE,A<br />
I B<br />
VC CE<br />
Bild 1-11: Ausgangskennlinienfeld eines Transistors<br />
mit Belastungskennlinie und Arbeitspunkt<br />
40) Das Ausgangskennlinienfeld kann in drei Bereiche unterteilt werden.<br />
FHF-<strong>Hamouda</strong>, Analogelektronik, Seite V-25
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