Fachhochschule Furtwangen, Prof. Dr.-Ing. M. J. Hamouda 000000 ...
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I<br />
E<br />
U<br />
EB<br />
01<br />
01<br />
01<br />
01<br />
01<br />
01<br />
01<br />
01<br />
p<br />
0000 1111<br />
0000 1111<br />
0000 1111 n<br />
Kollektor 01<br />
p 01<br />
01<br />
01<br />
01<br />
01<br />
01<br />
01<br />
1 2<br />
3 4 5<br />
Emitter<br />
I<br />
Basis<br />
d d d<br />
E B C<br />
0 x x x x x<br />
B<br />
UCB<br />
Bild 1-9: Einfache Transistorbeschaltung<br />
Der Anteil der Ladungen, die den linken Basisrand erreicht haben, wird<br />
mit γ ∗ IE bezeichnet, wobei γ den Emitterwirkungsgrad (oder die Emitterwirksamkeit)<br />
darstellt.<br />
0 ≤ γ ≤ 1 (1.20)<br />
p−Halbleiter n−Halbleiter p−Halbleiter<br />
I<br />
E<br />
γ I<br />
E<br />
I B<br />
α γ<br />
T I E<br />
ICB0<br />
Emitter Basis Kollektor<br />
Bild 1-10: Stromfluss im pnp-Transistor<br />
Durch Rekombinationsverluste in der Basis ist der Löcherstrom am linken<br />
Kollektorrand noch kleiner geworden. Er beträgt nur noch αT ∗ γ ∗ IE, wobei<br />
αT den Transportfaktor in der Basis darstellt.<br />
0 ≤ αT ≤ 1 (1.21)<br />
Aufgrund der Sperrpolung der Kollektor-Basis-Diode fliesst der Kollektor-<br />
Basis-Sperrstrom bei offenem Emitter ICB0, der mit dem Transport zusätzlicher<br />
Löcher zum Kollektorkontakt verbunden ist.<br />
Damit lässt sich der Kollektorstrom folgendermassen angeben.<br />
I<br />
C<br />
I C<br />
(1.22)<br />
FHF-<strong>Hamouda</strong>, Analogelektronik, Seite V-24
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