Fachhochschule Furtwangen, Prof. Dr.-Ing. M. J. Hamouda 000000 ...

Arbeitspunktes von A nach A1 erreicht werden. Sie wird allerdings durch
den Nachteil einer Verlängerung der Transistorschaltzeiten und speziell der
Speicherzeit erkauft.
Die Spannungen in den Arbeitspunkten B bzw. B’werden Restspannung
bzw. Sättigungsspannung genannt. Sie sind für die Verluste im eingeschalteten
Zustand bestimmend.
51) Wenn primär kurze Schaltzeiten gefordert werden, muss der Sättigungsbetrieb
verhindert werden. Der Arbeitspunkt im eingeschalteten Zustand
muss auf der Diodenkennlinie UCB = 0, d.h. im Punkt A festgehalten werden.
p−Basis
E B
C
00 11
00 11
n +
0000 1111
0000 1111
00 11
00 11
n +
n−Kollektor
Bild 4-17 Schematische Darstellung eines Schottky-Transistors
Dies wird durch die Zuschaltung einer zur Kollektor-Basis-Diode parallelen
Schottky-Diode erreicht. Eine Schottky-Diode ist ein sperrender Metall-
Halbleiter-Übergang. Sie ist i.a. schneller als die CB-Diode und hat eine
kleinere Schwellspannung von ca. 0.3 bis 0.4 V. Sie verhindert, dass die CB-
Diode in Flussrichtung gepolt wird. Im Bild 4-17 ist die Schottky-Diode
durch die Überlappung der Basismetallisierung und den n-Kollktors gegeben.
Das Bauelement, Bild 4-17 wird Schottky-Transistor genannt.
Kleinsignalverhalten
52) Zur Analyse des Kleinsignalverhalten des Transistors können grundsätzlich
unterschiedliche Konzepte für das Ersatzschaltbild angewandt werden.
Allen ist jedoch gemeinsam, dass der Transistor durch (mindestens)
eine beschaltete (strom)-gesteuerte Stromquelle dargestellt wird, die die
Stromverstärkung wiederspiegelt.
53) Der Transistor kann als Vierpol betrachtet werden. Die üblichen Vierpolgleichungen
(Widerstandsform, Leitwertform usw.) haben allerdings den Nachteil,
dass das Ersatzschaltbild zwei gesteuerte Quellen benötigt. Die Vierpolgleichungen
können allerdings so umgeformt werden, dass T- bzw. π-
Ersatzschaltbilder mit einer einzigen gesteuerten Quelle entstehen.
FHF-Hamouda, Analogelektronik, Seite V-33