Fachhochschule Furtwangen, Prof. Dr.-Ing. M. J. Hamouda 000000 ...
Fachhochschule Furtwangen, Prof. Dr.-Ing. M. J. Hamouda 000000 ...
Fachhochschule Furtwangen, Prof. Dr.-Ing. M. J. Hamouda 000000 ...
Sie wollen auch ein ePaper? Erhöhen Sie die Reichweite Ihrer Titel.
YUMPU macht aus Druck-PDFs automatisch weboptimierte ePaper, die Google liebt.
0<br />
I C<br />
Sättigungsbereich<br />
U<br />
CB = 0<br />
Verstärkerbereich<br />
Sperrbereich<br />
IB = 0<br />
U CE<br />
Bild 1-12: Transistorbetriebsarten im Ausgangskennlinienfeld<br />
a) Unterhalb der Transistorkennlinie für IB=0 liegt der Sperrbereich. Hier<br />
ist der Arbeitspunkt durch einen niedigen Kollektorstrom und einer<br />
hohen Kollektor-Emitter-Spannung charakterisiert. In diesem Bereich<br />
ist der Transistor gesperrt.<br />
b) Oberhalb der Diodenkennlinie für UCB = 0 liegt der Sättigungsbereich.<br />
Hier ist der Arbeitspunkt durch einen hohen Kollektorstrom bei<br />
niedriger Kollektor-Emitter-Spannung charakterisiert. In diesem Bereich<br />
ist der Transistor durchgeschaltet.<br />
c) Zwischen dem Sperr- und dem Sättigungsbereich erstreckt sich der<br />
Ver- stärker-, Aktiv-, Normal- oder Linearbereich, in dem primär eine<br />
hohe Linearität gefordert wird. Die Linearität bedeutet, dass alle drei<br />
Transistorströme linear voneinander abhängen. Dies ist damit gleichbedeutend,<br />
dass die Stromverstärkungsfaktoren α und β stromunabhängig<br />
sind.<br />
41) In den angegebenen Arbeitsbereichen sind die Polung der Emitter-Basis-<br />
Diode und die Polung der Kollektor-Basis-Diode charakteristisch.<br />
FHF-<strong>Hamouda</strong>, Analogelektronik, Seite V-26
Change language