Fachhochschule Furtwangen, Prof. Dr.-Ing. M. J. Hamouda 000000 ...

Da die Stabilisierungsfaktoren Gleichstromgrössen und die Verstärkungsfaktoren
Wechselstromgrössen darstellen kann der unerwünschte Wechselstromeinfluss
des Emitterwiderstandes mit Hilfe eines Parallelkondensators
unterdrückt werden.
Emitterschaltung mit Spannungsgegenkopplung
I
UBE
RB RC
B
I
C
U CE
Bild 3-2: Emitterschaltung mit Spannungsgegenkopplung
10) Wird die Kollektor-Basisdiode mit einem Parallelwiderstand RB beschaltet,
so liegt eine Spannungsgegenkopplung oder eine Parallel-Parallel-
Rückkoppung vor. Für die Stabilisierungsfaktoren lassen sich folgende Beziehungen
berechnen.
SICB0
SICB0(RB = 0) =
SUBE
SUBE(RB = 0) =
1 + β
1 + β ∗ RC/(RB + RC)
1
1 + RB/[(β + 1)RC]
Sβ
Sβ(RB = 0) = (1 + RB/RC)(β + 1) 2
[RB/RC + (β + 1)] 2
� RBICB0
VC − UBE
V C
≥ 1 [3.9a]
≤ 1 [3.9b]
�
+ 1
?? 1 [3.9c]
Auch hier sind alle angegebenen Stabilisierungsfaktoren durch gebrochene
rationale Funktionen von RB darstellbar. Mit wachsendem Rückkoplungswiderstand
RB nimmt SICB0 zu, während SUBE abnimmt. Das heisst, der
günstigste Wert für SICB0 wird bei RB = 0 erreicht. In diesem Fall erfolgt
keine Spannungsverstärkung (|Vu| = 1).
Im Gegensatz dazu nimmt SUBE seinen optimalen Wert bei RB → ∞.
Zur Einstellung des Arbeitspunktes und der Stabilisierungsfaktoren stehen
bei der Emitterschaltung mit Spannungsgegenkopplung nur ein Widerstand
und bei der Emitterschaltung mit Stromgegenkopplung zwei Widerstände
zur Verfügung. Damit ist die Stromgegenkopplung mit einer höheren
Flexibilität als die Spannungsgegenkopplung verbunden.
FHF-Hamouda, Analogelektronik, Seite V-59