Fachhochschule Furtwangen, Prof. Dr.-Ing. M. J. Hamouda 000000 ...

Die Leerlaufstromverstärkung hat folglich einen einfachen Pol,
Vi(GL → ∞) =
gm
Gπ + gm + sCπ
= β 1
β + 1 1 + s
α
=
1 + s
der der Transitfrequenz ωα entspricht.
ωα = Gπ + gm
Cπ
= gm
Cπ
∗
β + 1
β
ωα
ωα
[3.17]
[3.18]
17) Durch Vergleich der beiden Transitfrequenzen ergibt sich
�
ωα
= (β + 1) ∗ 1 +
ωβ
Cν
�
≥ β + 1 [3.19]
Cπ
Demnach hat die Basisschaltung ein besseres Frequenzverhalten als die
Emitterschaltung.
Vergleich der Transistorgrundschaltungen
18) Um die elektrischen Eigenschaften von Transistorschaltungen beurteilen
zu können, müssen die Übertragungsfunktionen analysiert werden. In den
meisten Fällen ist es weitgehend ausreichend, die Stromverstärkung Vi, die
Spannungsverstärkung Vu, die Ein- und Ausgangswiderstände Rein und
Raus (oder auch die Leitwerte) sowie die die Transitfrequenz zu betrachten.
Wird das h-Ersatzschaltbild zugrunde gelegt, dann ergeben sich die im Bild
3-6 und 3-7 dargestellten Ergebnisse.
Im Bild 3-6 sind die Übertragungsfunktionen R1, R2, Rein, Raus geplottet.
Es muss betont werden, dass - egal welche unabhängige Variable gewählt
wird - alle Übertragungsfaktoren gebrochene rationale Funktionen (d. h.
durch den Quotienten zweier Polynome darstellbar) sind.
Die Ergebnisse zeigen eindeutig, dass jede der 3 Grundschaltungen ihre
Vorzüge und Nachteile hat. Je nach angestrebter Schlatungsfunktion müssen
immer Kompromisse geschlossen werden. Durch Verwendung von mehrstufigen
Schaltungen wird in der Regel versucht, die Kompromisslösungen
zu optimieren.
FHF-Hamouda, Analogelektronik, Seite V-63