Fachhochschule Furtwangen, Prof. Dr.-Ing. M. J. Hamouda 000000 ...

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Vr Vr I r I I R r I r C0 C0 R r I B I B nIB nIB I C1 I C2 I C3 I C4 I Cn I I I C1 C2 C3 I I C4 Cn Bild 4-3: Mehrfache Stromquelle mit pnp- und npn-Transistoren FHF-<strong>Hamouda</strong>, Analogelektronik, Seite V-70
Vr B p−Basis B p−Basis E1 E2 E3 E4 n + n + n−Kollektor n + −Kollektor n−Emitter n + −Emitter n + n + n + C1 C2 C3 C4 n + n + n + Bild 4-4: Multiemitter-/Multikollektortransistor I r I R r C0 I B Ta nI B I C1 I C2 I C3 I C4 I Cn Bild 4-5: Basisstromkompensation FHF-<strong>Hamouda</strong>, Analogelektronik, Seite V-71
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Fachhochschule Furtwangen, Prof. Dr
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Mc Graw Hill 1989, ISBN 0-07-039957
Seite 5 und 6:
6 Transistor-Endstufen und Schutzei
Seite 7 und 8:
Starkstromtechnik: Energieerzeugung
Seite 9 und 10:
�j = σ ∗ �E bzw. �E = ρ
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V6 R Maschenstromverfahren I3 R V 3
Seite 13 und 14:
18) Die Methode der Knotenpotential
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Gi ist der resultierende Leitwert z
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Seite 19 und 20: a) Dabei geht es um die Bestimmung
Seite 21 und 22: Ein hoher Diodenstrom I fliesst, de
Seite 23 und 24: Bipolartransistor 35) Der Transisto
Seite 25 und 26: IC = α ∗ IE + ICB0 mit α = αT
Seite 27 und 28: Transistorbetrieb Basis-Emitter-Dio
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Seite 31 und 32: Aufgrund der Umrechnungsbeziehungen
Seite 33 und 34: Arbeitspunktes von A nach A1 erreic
Seite 35 und 36: B i E b h 11e h u 12e ce h21e ib h2
Seite 37 und 38: Eine grobe Auflistung einiger wesen
Seite 39 und 40: Folgende Näherungen können sehr n
Seite 41 und 42: 4) Das elektrische Verhalten der li
Seite 43 und 44: Die Impedanz und Admittanz eines oh
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Seite 47 und 48: Amplitude / dB Phase / Deg 0 −20
Seite 49 und 50: Amplitude / dB Phase / Deg 10 −10
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Seite 59 und 60: Da die Stabilisierungsfaktoren Glei
Seite 61 und 62: Der Transistor wird durch ein Ersat
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