- 19 - Abb. 3.3: Photonenabsorption <strong>und</strong> Anregung im Bandschema eines Halbleiters Der als E 1/E 0 berechnete Wirkungsgrad heißt „ultimate efficiency“ <strong>und</strong> hängt vom Verhältnis <strong>der</strong> Bandlücke zur Temperatur des abstrahlenden Körpers ab. Bei <strong>der</strong> Definition <strong>der</strong> ultimate efficiency ist nicht berücksichtigt, dass die Solarzelle selbst auch ein strahlen<strong>der</strong> Körper ist <strong>und</strong> Energie durch strahlende Rekombination <strong>der</strong> Ladungsträger in die Umgebung abstrahlt. Bezieht man diesen Effekt ein, so erhält man den „Shockley- Queisser-Limit“ (detailed balance limit) für den Wirkungsgrad, <strong>der</strong> kleiner ist als die ultimate efficiency, <strong>und</strong> auch noch von <strong>der</strong> Temperatur <strong>der</strong> Solarzelle <strong>und</strong> von <strong>der</strong> Einstrahlgeometrie abhängt (W. Shockley, H.J. Queisser, J. appl. Phys. 32 (1961), 510). Mehr dazu in Kap. 5.7. Werden noch an<strong>der</strong>e Rekombinationsmechanismen berücksichtigt, verringert sich <strong>der</strong> Wirkungsgrad weiter. Oft werden zur Rekombination plausible Annahmen gemacht <strong>und</strong> man kommt zu einem „semiempirischen Wirkungsgrad“. Meist bezieht man sich auf eine Arbeit von M.B. Prince (J. appl. Phys. 26 (1955), 534). In Abb. 3.4 sind die verschiedenen Grenzen für den Wirkungsgrad in Abhängigkeit von <strong>der</strong> Bandlücke dargestellt <strong>und</strong> Bandlücken gängiger Halbleiter eingetragen. Die günstigste Bandlücke liegt nach dem semiempirischen Wirkungsgrad bei 1,3 eV. Das Maximum ist aber breit, sodass Bandlücken von 0,8 bis 1,7 eV brauchbar sind. Folgende Halbleiter liegen in diesem Bereich (Tab. 3.1): CuInSe 2, c-Si, Cu 2S, Cu 2Te, InSe, InP, GaAs, CuInS 2, a-Si, CdTe, Zn 3P 2, AlSb, CdSe. Schlecht geeignet sind Ge, Cu 2O, AlAs, GaP, ZnTe, CdS. Das geschil<strong>der</strong>te Problem <strong>der</strong> Energieausnutzung lässt sich durch einen Kunstgriff zum Teil umgehen. Man schaltet in Einstrahlrichtung des Lichtes bei Stapelzellen (Tandemzellen) mehrere <strong>Solarzellen</strong> hintereinan<strong>der</strong>. Dabei werden die Zellen mit <strong>der</strong> jeweils größeren Bandlücke weiter vorn angeordnet. Das in <strong>der</strong> ersten Zelle nicht absorbierte langwellige Licht kann in <strong>der</strong> nächsten Zelle wirksam werden <strong>und</strong> so fort. In Abb. 3.5 ist dargestellt, wie <strong>der</strong> Wirkungsgrad bei zwei hintereinan<strong>der</strong> geschalteten Zellen von ihren Bandlücken abhängt. Abb. 3.6 zeigt den maximalen Wirkungsgrad in Abhängigkeit von <strong>der</strong> Anzahl <strong>der</strong> Zellen. Praktikabel ist das Konzept nur bei Dünnschichtzellen. Zur Zeit werden bis zu drei Zellen hintereinan<strong>der</strong> geschaltet. Inwiefern <strong>der</strong> höhere Herstellungsaufwand <strong>der</strong> Stapelzellen akzeptabel ist, muss sich noch zeigen. 3 Gr<strong>und</strong>lagen <strong>der</strong> <strong>Photovoltaik</strong> F. Falk, <strong>Photovoltaik</strong> WS 2010/11
Tab. 3.1: Bandlücken von Halbleitern - 20 - Abb. 3.4: Grenzwerte für den Wirkungsgrad in Abhängigkeit von <strong>der</strong> Bandlücke. Ultimate efficiency oben links, Shockley-Queisser-limit oben rechts, semiempirischer Wirkungsgrad [Hu] unten Halbleiter Si a-Si GaAs CdTe CuInSe2 Eg/eV 1,12 1,6...1,7 1,43 1,43 1,05 3 Gr<strong>und</strong>lagen <strong>der</strong> <strong>Photovoltaik</strong> F. Falk, <strong>Photovoltaik</strong> WS 2010/11