Photovoltaik Physik und Technologie der Solarzellen - IPHT Jena
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Halbleiter ergibt sich<br />
mit den effektiven Zustandsdichten (4.15/17)<br />
- 58 -<br />
(5.3)<br />
(5.4)<br />
Für E n = E p = E F gehen diese Beziehungen in diejenigen von Gl. 4.16/18 über <strong>und</strong> die Ladungsträgerdichten<br />
sind im Gleichgewicht. Die Nichtgleichgewichtskonzentrationen werden also<br />
durch die Aufspaltung des Ferminiveaus in Quasi-Fermi-Niveaus beschrieben (Abb. 5.2).<br />
Solange n > n 0 <strong>und</strong> p > p 0 sind, weicht das Quasi-Fermi-Niveau E n vom ursprünglichen E F in<br />
Richtung E c (E n > E F) <strong>und</strong> das Quasi-Fermi-Niveau E p von E F in Richtung E v ab (E p < E F). Es gilt<br />
Abb. 5.2: Quasi-Fermi-Niveaus unter Beleuchtung<br />
(5.5)<br />
5 Halbleiter II: Nichtgleichgewicht F. Falk, <strong>Photovoltaik</strong> WS 2010/11
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