Photovoltaik Physik und Technologie der Solarzellen - IPHT Jena
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Das Bän<strong>der</strong>modell <strong>der</strong> Elektronen beruht ganz wesentlich auf <strong>der</strong> Einelektronennäherung <strong>und</strong><br />
auf <strong>der</strong> Translationssymmetrie des Gitters. Aus dieser folgt das Blochsche Theorem, gemäß<br />
dem die Wellenfunktionen die Form<br />
(4.1)<br />
haben, wo u k(r) eine gitterperiodische Funktion ist <strong>und</strong> k ein beliebiger reellwertiger Vektor, <strong>der</strong><br />
allerdings auf die erste Brillouinzone des reziproken Gitters beschränkt ist, eindimensional<br />
betrachtet auf -B/a bis B/a, mit <strong>der</strong> Gitterkonstanten a. k-Werte, die sich um einen reziproken<br />
Gittervektor unterscheiden, können identifiziert werden. k charakterisiert die Wellenfunktion<br />
<strong>und</strong> hat als Sk die Bedeutung eines Impulses. Für jedes k aus <strong>der</strong> ersten Brillouinzone gibt es<br />
eine diskrete Anzahl von Wellenfunktionen, die mit n durchnummeriert werden. Dementsprechend<br />
sind die Energieeigenwerte von k <strong>und</strong> n abhängig. Die Energiewerte, die bei<br />
beliebigem k zu einem festen n gehören, nennt man ein Energieband, die Gesamtheit von E n(k)<br />
die Bandstruktur. Aus Symmetriegründen gilt E(k)=E(-k). Am Rande <strong>der</strong> Brillouinzone hat E(k)<br />
in den Symmetriepunkten eine waagrechte Tangente. Für freie Elektronen gilt E(k)=S 2 k 2 /2m 0<br />
mit <strong>der</strong> Elektronenmasse m 0.<br />
Die Bän<strong>der</strong> <strong>der</strong> tiefen, kernnahen Elektronenschalen sind schmal. Sie verbreitern sich immer<br />
stärker, je weiter die Orbitale die Kernumgebung verlassen. Mehrere Bän<strong>der</strong> können sich auf<br />
<strong>der</strong> Energieskala auch überlappen. Da die Brillouinzone, also das Gebiet <strong>der</strong> möglichen k-<br />
Vektoren, ein dreidimensionales Gebilde ist, kann man die Bandstruktur schlecht zeichnen.<br />
Man legt daher Schnitte, zeichnet also E(k) entlang bestimmter ausgewählter hochsymmetrischer<br />
Richtungen im k-Raum. Die Abb. 4.3-5 zeigen die Bandstrukturen von Si, GaAs <strong>und</strong><br />
CdTe.<br />
Bei T=0 sind die Bän<strong>der</strong> von <strong>der</strong> tiefsten Energie angefangen mit Elektronen besetzt, bis alle<br />
vorhandenen Elektronen untergebracht sind, was bei <strong>der</strong> Fermi-Energie E F erreicht ist. Ob ein<br />
kristallines Material Metall, Halbleiter o<strong>der</strong> Isolator ist, hängt davon ab, wie die Bän<strong>der</strong> besetzt<br />
sind. Ist das höchste besetzte Band teilgefüllt, so liegt ein Metall vor, ist es ganz gefüllt, ein<br />
Halbleiter o<strong>der</strong> ein Isolator. Bei Halbleitern <strong>und</strong> Isolatoren liegt die Fermi-Energie in <strong>der</strong><br />
Bandlücke (Bandgap, Gap, verbotene Zone) zwischen zwei Bän<strong>der</strong>n. Das voll besetzte Band<br />
darunter heißt Valenzband, das unbesetzte darüber Leitungsband. Wenn <strong>der</strong> Abstand des<br />
Valenzbandes zum Leitungsband, <strong>der</strong> Bandabstand E g klein ist (