Photovoltaik Physik und Technologie der Solarzellen - IPHT Jena
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In einem n-dotierten Halbleiter führt eine positive Oberflächenladung zu einer Akkumulation<br />
von Elektronen an <strong>der</strong> Oberfläche <strong>und</strong> die Leitfähigkeit steigt an. Eine negative Oberflächenladung<br />
verdrängt die Elektronen ins Innere <strong>und</strong> es kommt zu einer Verarmung von Ladungsträgern<br />
<strong>und</strong> einer Verkleinerung <strong>der</strong> Leitfähigkeit. Bei sehr großer negativer Ladung werden die<br />
Bän<strong>der</strong> so stark verbogen, dass die Valenzbandkante über das Fermi-Niveau angehoben wird<br />
<strong>und</strong> unter <strong>der</strong> Oberfläche eine Inversionsschicht mit p-Leitung entsteht. Die Leitfähigkeit steigt<br />
wie<strong>der</strong> an. Die Verhältnisse sind in Abb. 4.20 dargestellt.<br />
Abb. 4.20: Bandverbiegung an <strong>der</strong> Oberfläche<br />
eines n-dotierten Halbleiters<br />
4 Halbleiter I: Gleichgewicht F. Falk, <strong>Photovoltaik</strong> WS 2010/11
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