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Untersuchung des reaktiven Sputterprozesses zur Herstellung von ...

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Abbildungsverzeichnis<br />

2.1 Wurtzitstruktur <strong>von</strong> ZnO und kristallographische Bezeichnungen ......... 7<br />

2.2 Optische Eigenschaften <strong>von</strong> ZnO:Al ........................ 11<br />

2.3 Band-Bandübergänge im entarteten Halbleiter ................... 12<br />

2.4 Schematische Darstellung <strong>des</strong> <strong>Sputterprozesses</strong> .................. 15<br />

2.5 Hysterese <strong>des</strong> <strong>reaktiven</strong> <strong>Sputterprozesses</strong> ...................... 19<br />

2.6 Schematische Darstellung der MF-Doppelkathode ................. 22<br />

2.7 Wachstumsbestimmende Vorgänge in der Nähe der Substratoberfläche ...... 24<br />

2.8 Wachstumsmodell für gesputterte Metallschichten ................. 26<br />

2.9 Strukturzonen und Ätzverhalten <strong>von</strong> RF-gesputterten ZnO:Al-Schichten ..... 28<br />

2.10 Aufbau und Bandstruktur einer Silizium-Dünnschichtsolarzelle in der pin-Struktur 34<br />

2.11 Absorptionskoeffizienten <strong>von</strong> Silizium und Zinkoxid ............... 36<br />

2.12 Hell- und Dunkelkennlinie mit einigen Kenngrößen einer Solarzelle ....... 38<br />

2.13 REM-Oberflächenaufnahmen <strong>von</strong> gesputterten und geätzten ZnO:Al-Schichten . 40<br />

2.14 Quantenwirkungsgrad <strong>von</strong> µc-Si:H-Solarzellen auf RF-gesputterten ZnO:Al-<br />

Schichten ...................................... 41<br />

3.1 Schematische Darstellung der Inline-Sputteranlage ................ 44<br />

3.2 Messanordnung für die Zwei-Punkt-Methode ................... 51<br />

3.3 Messanordnung für die Vier-Punkt-Methode .................... 52<br />

3.4 XRD-θ/2θ-Scan einer typischen ZnO:Al-Schicht und einer ZnO-Pulverprobe . . 56<br />

3.5 XRD-Polfiguren einer gesputterten ZnO:Al-Schicht ................ 57<br />

4.1 Hysterese und Stabilisierung <strong>des</strong> <strong>reaktiven</strong> <strong>Sputterprozesses</strong> mittels PEM .... 64<br />

4.2 Hysterese <strong>des</strong> Sauerstoff-Partialdruckes ...................... 66<br />

4.3 Depositionsrate an verschiedenen Arbeitspunkten ................. 67<br />

4.4 Depositionsrate als Funktion der Substrattemperatur ................ 69<br />

4.5 Depositionsrate als Funktion <strong>des</strong> Depositionsdruckes ............... 70<br />

4.6 Homogenität einer dynamisch MF-gesputterten ZnO:Al-Schicht ......... 71<br />

4.7 Verlauf der Generatorspannung beim Substrattransport .............. 73<br />

4.8 CAl in den ZnO:Al-Schichten als Funktion der Aluminiumkonzentration im Target 75<br />

4.9 CAl in den ZnO:Al-Schichten als Funktion der Substrattemperatur ........ 76<br />

4.10 CAl in den ZnO:Al-Schichten als Funktion <strong>des</strong> Depositionsdruckes ........ 77<br />

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