07.02.2013 Aufrufe

Untersuchung des reaktiven Sputterprozesses zur Herstellung von ...

Untersuchung des reaktiven Sputterprozesses zur Herstellung von ...

Untersuchung des reaktiven Sputterprozesses zur Herstellung von ...

MEHR ANZEIGEN
WENIGER ANZEIGEN

Sie wollen auch ein ePaper? Erhöhen Sie die Reichweite Ihrer Titel.

YUMPU macht aus Druck-PDFs automatisch weboptimierte ePaper, die Google liebt.

50 3. Experimentelles<br />

turellen Eigenschaften werden mittels Röntgenbeugung und nach einem Ätzschritt mit bildgebenden<br />

Verfahren untersucht. Die Solarzellen werden durch ihre Strom-Spannungs-Kennlinien<br />

und den daraus bestimmten Kenngrößen unter einem Sonnensimulator charakterisiert. Zusätzlich<br />

wird die spektrale Empfindlichkeit an ausgewählten Solarzellen bestimmt.<br />

3.2.1 Schichtdickenmessung<br />

Alle in dieser Arbeit bestimmten Schichtdicken werden mit dem Profilmessgerät Dektak 3030<br />

der Firma Veeco Instruments Inc. bestimmt. Das Messprinzip beruht auf dem Abtasten der Oberfläche<br />

durch eine Nadel. In die Schicht muss zuvor eine bis zum Substrat reichende Stufe präpariert<br />

werden. Die Stufen werden bei ZnO-Schichten mit 2 %iger Salzsäure geätzt. Scharfe<br />

Ätzkanten entstanden dabei durch eine partielle Bedeckung der Zinkoxidschicht mit einer wasserunlöslichen<br />

Farbe. Ein Unterätzen der Abdeckung muss durch eine zeitliche Begrenzung der<br />

Ätzdauer verhindert werden. Die Genauigkeit der Messungen wird durch Mehrfachmessungen<br />

erhöht. Für glatte Schichten kann dabei ein Messfehler unterhalb <strong>von</strong> 10 nm eingehalten werden.<br />

Raue Oberflächen, z.B. <strong>von</strong> geätzten Schichten, besitzen RMS-Rauigkeiten (root mean square)<br />

<strong>von</strong> zum Teil mehr als 100 nm, so dass für solche Schichten ein Messfehler <strong>von</strong> ca. 5 % berücksichtigt<br />

werden muss.<br />

3.2.2 Bestimmung der elektrischen Eigenschaften<br />

Für den spezifischen Widerstand ρ <strong>von</strong> ZnO:Al können die Defektelektronen (Löcher) aufgrund<br />

ihrer geringen Konzentration vernachlässigt werden. Damit setzt sich der spezifische Widerstand<br />

mit<br />

(3.2) ρ =(µ · n · e) −1<br />

aus den Materialeigenschaften Beweglichkeit µ und Konzentration der freien Ladungsträger n<br />

zusammen. Der Faktor e bezeichnet die Elementarladung.<br />

Der Widerstand R eines quaderförmigen Probenstückes mit Länge l, Breite b und Dicke d<br />

berechnet sich zu:<br />

l<br />

(3.3) R = ρ ·<br />

b · d .<br />

Für eine Probe mit quadratischer Fläche gilt l = b. So vereinfacht sich Gln. 3.3 zu<br />

(3.4) R� := Rl=b = ρ<br />

d .

Hurra! Ihre Datei wurde hochgeladen und ist bereit für die Veröffentlichung.

Erfolgreich gespeichert!

Leider ist etwas schief gelaufen!