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Untersuchung des reaktiven Sputterprozesses zur Herstellung von ...

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5.4. Zusammenfassende Diskussion 127<br />

Sputtern hauptsächlich Druckspannungen auf. Die entspannte Phase sollte demnach den geringsten<br />

Gitterparameter entsprechend dem (002)-Peak mit dem größten Winkel aufweisen. In der<br />

Druckserie und auch bei den statischen Depositionen liegt der größte Winkel bei etwa 34,5 ◦ .<br />

Durch die Abkühlung <strong>des</strong> Substrates nach der Deposition wird die ZnO:Al-Schicht je nach Prozesstemperatur<br />

um ca. 0,1 % entlang der c-Achse gestaucht. Die Peakverschiebung vom Referenzwert<br />

(34,4 ◦ ) auf den Winkel der wahrscheinlich am wenigsten verspannten Phase (34,5 ◦ )<br />

entspricht jedoch einer Stauchung um 0,3 %. Demnach hat die entspannte Phase der ZnO:Al-<br />

Schichten vermutlich einen um min<strong>des</strong>tens 0,2 % kleineren Gitterparameter als die intrinsische<br />

Referenz.<br />

Ein Grund für den veränderten Gitterparameter ist die Dotierung <strong>des</strong> ZnO mit Aluminium.<br />

Das Aluminiumion ist deutlich kleiner als das zu ersetzende Zinkion [Joos und Eucken (1955)],<br />

so dass sich Bindungslängen der Al-O- und der Zn-O-Bindungen <strong>von</strong> 1,7 Å bzw. 2,0 Å ergeben<br />

[van Bokhoven et al. (1999), Hellwege (1982)]. Daraus folgt eine Kontraktion <strong>des</strong> Wurtzitgitters<br />

beim Einbau <strong>des</strong> Aluminiums. Die Veränderung <strong>des</strong> Gitterparameters mit steigendem Aluminiumgehalt<br />

<strong>von</strong> 5,217 Å auf 5,195 Å konnte mittels XRD direkt beobachtet werden (siehe<br />

Abb. 4.17). Szyszka und Jäger (1997) beobachteten ebenfalls eine Verschiebung der Röntgenpeaks<br />

<strong>von</strong> Zinkoxid in Abhängigkeit vom Dotierstoff. Eine weitere Erklärung für den gestauchten<br />

Gitterparameter können auch Zugspannungen sein, die hauptsächlich bei weichen Depositionsverfahren<br />

mit ausschließlich niederenergetischen Teilchen beobachtet werden. Da die abgeschätzten<br />

Druckspannungen in den hier vorgestellten ZnO:Al-Schichten sehr gering sind, dürfen<br />

die Zugspannungen vielleicht auch für den Sputterprozess nicht vollständig vernachlässigt werden.<br />

Der tatsächliche Wert <strong>des</strong> relaxierten Gitterparameters muss experimentell nachgeprüft werden.<br />

Zu diesem Zweck sind Messung der durch die Schicht entstehenden Substratverbiegung<br />

[Pedersen (2003)] in Vorbereitung.

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