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Untersuchung des reaktiven Sputterprozesses zur Herstellung von ...

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28 2. Physikalische und technologische Grundlagen<br />

Wie hergestellt Nach Ätzschritt<br />

Zunehmende Kompaktheit<br />

a<br />

b<br />

Sputterdruck<br />

Abbildung 2.9: Strukturzonen <strong>von</strong> RF-gesputterten ZnO:Al-Schichten basierend auf dem Thornton-Modell für<br />

gesputterte Metalle [Kluth et al. (2003)]. Die elektronenmikroskopische (REM) Bruchkantenaufnahmen zeigen ungeätzte<br />

(links) und mit Salzsäure behandelte ZnO:Al-Schichten (rechts). Die Schichten wurden unter Bedingungen<br />

gesputtert, die im schematischen Zonenbild angezeigt werden.<br />

kleation beginnt mit dem Wachstum <strong>von</strong> kleinen Kristalliten, deren Dichte mit der Schichtdicke<br />

ab- und deren Ausdehnung zunimmt. Die kristallinen Säulen laufen zum Substrat hin spitz zu,<br />

während sie ihre laterale Ausdehnung oberhalb einer Schichtdicke <strong>von</strong> bis zu einigen hundert<br />

Nanometern nur noch geringfügig verändern. Der Säulendurchmesser reicht, abhängig <strong>von</strong> den<br />

Prozessparametern, <strong>von</strong> ca. 50 nm bis 300 nm.<br />

In Anlehnung an das <strong>von</strong> Thornton (1974) für gesputterte Metalle entwickelte Modell wurden<br />

verschiedene Wachstumszonen für RF-gesputterte ZnO:Al-Schichten auf Glassubstrat identifiziert<br />

[Kluth et al. (2003)]. Abbildung 2.9 zeigt die schematische Einteilung in die Strukturzonen<br />

sowie elektronenmikroskopische Aufnahmen (REM, siehe Abschn. 3.2.5) <strong>von</strong> Bruchkanten und<br />

Oberflächen verschiedener ZnO:Al-Schichten direkt nach der <strong>Herstellung</strong> (links) und nach ei-<br />

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