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Untersuchung des reaktiven Sputterprozesses zur Herstellung von ...

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3.2. Charakterisierung 57<br />

Abbildung 3.5: XRD-Polfiguren <strong>des</strong> (002)- und <strong>des</strong> (101)-Peaks der ZnO:Al-Schicht aus Abb. 3.4. Die Polfiguren<br />

liefern den Nachweis einer ausgeprägten Textur der ZnO:Al-Schichten mit der c-Achse parallel zu Oberflächennormalen.<br />

der Kristallite, geben. Dazu müssen die kristallspezifischen Unterschiede der streuenden Ebenen<br />

beachtet werden. Dies wird in der Regel durch einen Vergleich der Messergebnisse mit Pulverdiffraktogrammen<br />

aus der Literatur gewährleistet. Abb. 3.4 zeigt den Intensitätsverlauf der Röntgenbeugung<br />

als Funktion <strong>des</strong> Beugungswinkels 2θ. Die oberen Daten wurden an einer typischen<br />

gesputterten ZnO:Al-Schicht in der Bragg-Brentano-Geometrie gemessen, die unteren Peakintensitäten<br />

sind Literaturwerte einer ZnO-Pulverprobe [JCPDS (1997)]. Die Peaks entsprechen<br />

den Beugungen an verschiedenen Kristallebenen mit unterschiedlichem Netzebenenabstand. Die<br />

zugehörigen Ebenen sind durch die Miller-Indizes an den entsprechenden Beugungsmaxima angegeben.<br />

Die unterschiedlichen Intensitäten der Peaks <strong>des</strong> Pulverdiffraktogramms zeugen <strong>von</strong><br />

verschieden starken Beugungen und sind nicht in einer Vorzugsorientierung einiger Kristallite<br />

begründet. Der Vergleich der beiden Spektren zeigt deutlich, dass die Anordnung der Kristalle in<br />

der gesputterten Schicht signifikant <strong>von</strong> der statistischen Verteilung der Pulverprobe abweicht.<br />

Da fast nur Beugungserscheinungen an den (001)-Ebenen (in verschiedenen Beugungsordnungen)<br />

erfolgen, müssen diese hauptsächlich parallel <strong>zur</strong> Substratoberfläche verlaufen. Alle anderen<br />

Reflexe sind aufgrund dieser Vorzugsorientierung bis auf weniger als 1 % der Intensität <strong>des</strong><br />

stärksten Peaks unterdrückt.<br />

Polfiguren erlauben eine präzise Bestimmung der Orientierungsverteilung <strong>von</strong> Kristalliten.<br />

Dazu werden ein- und ausfallender Strahl in einem festen Winkel 2θ zueinander eingestellt, wo-

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