Untersuchung des reaktiven Sputterprozesses zur Herstellung von ...

4.2. Depositionsraten 69
Abbildung 4.4: Depositionsrate als Funktion der Substrattemperatur. Die Schichten wurden von Targets mit
unterschiedlichem Aluminiumgehalt gesputtert: 4,7 at% (Sterne), 2,4 at% (offene Quadrate), 1,2 at% (Kreise) und
0,5 at% (offene Dreiecke).
Arbeitspunkte zurückgeführt werden.
4.2.3 Einfluss des Depositionsdruckes
Abbildung 4.5 zeigt die Depositionsrate als Funktion des Depositionsdruckes pDep für unterschiedliche
Substrattemperaturen. Die Druckserien wurden von Targets mit einem Aluminiumgehalt
von 2,4 at% gesputtert. Der Arbeitspunkt wurde für jedes Paar von Depositionsdruck
und Substrattemperatur auf beste Leitfähigkeit optimiert. Die obere x-Achse gibt die mittlere
Anzahl von Stößen an, die ein gesputtertes Teilchen auf dem Weg zum Substrat erleidet [Window
und Müller (1989)]. Die Depositionsrate ist unterhalb von 0,5 Pa nahezu konstant bei etwa
53 nm·m/min und fällt für höheren Depositionsdruck stark auf ca. ein Viertel des ursprünglichen
Wertes bei niedrigem Druck ab.
Die gepunktete Linie in Abb. 4.5 beschreibt den Verlauf der Depositionsrate nach dem Modell
von Keller und Simmons (1979). Für die Beschreibung der beobachteten Depositionsraten
des Prozesses bei TS = 260 ◦ C durch das Modell wurden die Parameter R0 =51nm·m/min
und (pd)0 =21Pa·cm in Gln. 2.5 verwendet. Man beachte, dass das Modell für statische Depositionen
entwickelt wurde. Dennoch beschreibt das Modell auch die Druckabhängigkeit bei
der dynamischen Deposition recht gut. (pd)0 liegt in der gleichen Größenordnung wie der von
Kappertz et al. (2005) für statisches, reaktives Sputtern von Zinkoxid beobachtete Wert von