Mikrovalna elektronika - FESB

More documents

Recommendations

Info

MIKROVALNA ELEKTRONIKA <strong>FESB</strong> – SPLIT vrijedi: tg ( ) tg ( ) β l = − π − β l ≐ β l −π . g g g Ukupna ulazna impedancija u rezonator će sada biti impedancija u točkama aa' bez prepreke paralelno spojena s impedancijom prepreke: ( gl − ) X X Aβ β π ≐ . X + X Aβ + β l −π an 1n g Zuln = j j an 1n g g Iz ove relacije vidimo da ulazna impedancija postaje jednaka nuli, dakle dolazi do električne rezonancije kada je β g l = π. Ovo je karakteristika serijskog titrajnog kruga, te tako možemo prikazati rezonator s otvorom, ali čija je duljina β g l = π. Ako želimo rezonator koji je paralelni titrajni krug odabrali bi β g l tako da nam se kratki spoj preslikava u otvoreni krug dodavanjem induktiviteta otvora. Tada bi u rezonanciji imali beskonačnu ulaznu impedanciju odnosno, ako se radi o rezonatoru s gubicima, maksimalnu ulaznu impedanciju. Za svaki rezonator možemo definirati: 1 ω0L ω 0 = i Q0 = , LC R pri čemu su ω 0 rezonantna frekvencija i Q 0 faktor dobrote u slučaju neopterećenog rezonatora. Spregu ćemo prikazati kao idealni transformator omjera N : 1 s čijim je primarom serijski spojen induktivitet otvora L a (sl. 12). Uzimajući da je induktivitet L a zanemariv u odnosu na induktivitet rezonatora L, Q-faktor opterećenog rezonatora je: ω0L QL = . 2 R + n Z0 Stavivši: 2 n Z0 ω0L β = ⇒ QL = , R R( 1+ β ) dobivamo: 1 1 β R = + . Q Q Lω Faktor dobrote vanjskog kruga je: L 0 0 pa je: U slučaju: Q ext ω L ω L = = , n Z R 0 0 2 0 β 1 1 1 = + . Q Q Q L 0 0 ext β = 1⇒ Q = Q = 2Q . ext L - 154 -
MIKROVALNA ELEKTRONIKA <strong>FESB</strong> – SPLIT L L a n 2 L a C R U Z 0 ~ VANJSKI KRUG 1:n REZONATOR Slika 12. Ekvivalentna shema pravokutnog rezonatora uzbuđenog s pomoću valovoda s otvorom S vrijednošću β = 1 preslika impedancije izvora jednaka je otporu rezonatora odnosno R = n 2 Z 0 i rezonator je prilagođen. Ta je vrijednost kritična sprega. Slučaj β < 1 je slučaj podkritične sprege, a slučaj β > 1 je slučaj nadkritične sprege. Preduvjet za naponski maksimum u rezonanciji je u slučaju podkritične sprege. Preduvjet za naponski maksimum je da rezonator radi u podkritičnoj sprezi. L R C n 2 Z 0 nU ~ L R C - 155 -
Page 1 and 2:
MIKROVALNA ELEKTRONIKA FESB - SPLIT
Page 3 and 4:
Page 5 and 6:
Page 7 and 8:
Page 9 and 10:
Page 11 and 12:
Page 13 and 14:
Page 15 and 16:
Page 17 and 18:
Page 19 and 20:
Page 21 and 22:
Page 23 and 24:
Page 25 and 26:
Page 27 and 28:
Page 29 and 30:
Page 31 and 32:
Page 33 and 34:
Page 35 and 36:
Page 37 and 38:
Page 39 and 40:
Page 41 and 42:
Page 43 and 44:
Page 45 and 46:
Page 47 and 48:
Page 49 and 50:
Page 51 and 52:
Page 53 and 54:
Page 55 and 56:
Page 57 and 58:
Page 59 and 60:
Page 61 and 62:
Page 63 and 64:
Page 65 and 66:
Page 67 and 68:
Page 69 and 70:
Page 71 and 72:
Page 73 and 74:
Page 75 and 76:
Page 77 and 78:
Page 79 and 80:
Page 81 and 82:
Page 83 and 84:
Page 85 and 86:
Page 87 and 88:
Page 89 and 90:
Page 91 and 92:
odnosno: rot Etr = − jωµ ezH
Page 93 and 94:
Izračunajmo sada snagu prenesenu n
Page 95 and 96:
Page 97 and 98:
Page 99 and 100:
Page 101 and 102:
Page 103 and 104: MIKROVALNA ELEKTRONIKA FESB - SPLIT
Page 125 and 126: d N = r × F , dt MIKROVALNA ELEK
Page 129 and 130: odnosno: uz: iz čega je: pa je:
Page 153: MIKROVALNA ELEKTRONIKA FESB - SPLIT
Page 157 and 158: V 0 Slika 1. Dvorezonantni klistron
show all

Mikrovalna elektronika - FESB

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?