Mikrovalna elektronika - FESB

More documents

Recommendations

Info

MIKROVALNA ELEKTRONIKA <strong>FESB</strong> – SPLIT Riješimo sada gornje jednadžbe, i to posebno za lavinsko područje (od x = –a do x = 0), a posebno za područje prostornog naboja. Nakon određenih matematičkih manipulacija te uvrštavanja graničnih uvjeta i specifičnosti parametra α u lavinskom području da se pokazati da je impedancija tog područja: gdje je: uz: Z a a = , 2 ⎛ ωa ⎞ jωε A⎜1− 2 ⎟ ⎝ ω ⎠ 2I aα ′ ω = , τ ε A 2 0 a a ∂α α′ = , ∂ E E= E 0 i vrijeme proleta kroz lavinsko područje: a τ a = , v pri čemu je A površina presjeka. Možemo zaključiti da se impedancija Z a može shvatiti kao paralelan spoj svitka induktiviteta L a i kondenzatora kapaciteta C a . U području prostornog naboja je α = 0. Ukupna struja na nekom položaju x u drift području je: x − jω v j t jωt 1 1 e ω ( , ) ωε ( ) I x t = I e e + j E x Ae , pri čemu prvi član u izrazu predstavlja konduktivnu struju, a drugi struju pomaka, pa je nakon računanja napona u tom području: ⎡ ⎤ 1 ⎢ 1 sinθ ⎥ 1 1 1− cosθ Z = ⎢1 − ⎥ + = j Im Z + Re Z ( ) ( ) b 2 2 b b jωCb ⎢ ω θ ⎥ ωCb ω θ ⎢ 1− 1 2 2 ω ⎥ − a ωa ⎣ ⎦ , gdje je θ kut prijenosa: ωb ε A θ = i Cb = . v b Nadomjesna shema prema ovoj analizi prikazana je na sl. 16, a dijagram na sl. 17 uz: τ d R0 = . 2C d - 174 -
MIKROVALNA ELEKTRONIKA <strong>FESB</strong> – SPLIT L a C a R b X b R s Slika 16. Nadomjesna shema diode Z d ω aτ d = π ωτ d 1 0 2π 4π Slika 17. Ovisnost impedancije diode o frekvenciji Vidimo da će dioda imati negativan dinamički otpor u slučaju da je ω > ω a , pa je to područje u kojemu ju možemo koristiti kao oscilator. Uočimo činjenicu da je ona također i kapacitivna u tom području, pa će to značiti da pri gradnji oscilatora vanjski krug mora biti induktivan. Nadalje veličina negativnog otpora je reda veličine oma, pa će biti potrebno izvršiti prilagođenje vanjskog opterećenja na diodu, odnosno na rezonator u kojem je smješten. Stoga možemo koristiti pojednostavljenu shemu kao na sl. 18. R d < 0 X d L a C p KUĆIŠTE Slika 18. Pojednostavljena shema oscilatora s lavinskom diodom - 175 -
Page 1 and 2:
MIKROVALNA ELEKTRONIKA FESB - SPLIT
Page 3 and 4:
Page 5 and 6:
Page 7 and 8:
Page 9 and 10:
Page 11 and 12:
Page 13 and 14:
Page 15 and 16:
Page 17 and 18:
Page 19 and 20:
Page 21 and 22:
Page 23 and 24:
Page 25 and 26:
Page 27 and 28:
Page 29 and 30:
Page 31 and 32:
Page 33 and 34:
Page 35 and 36:
Page 37 and 38:
Page 39 and 40:
Page 41 and 42:
Page 43 and 44:
Page 45 and 46:
Page 47 and 48:
Page 49 and 50:
Page 51 and 52:
Page 53 and 54:
Page 55 and 56:
Page 57 and 58:
Page 59 and 60:
Page 61 and 62:
Page 63 and 64:
Page 65 and 66:
Page 67 and 68:
Page 69 and 70:
Page 71 and 72:
Page 73 and 74:
Page 75 and 76:
Page 77 and 78:
Page 79 and 80:
Page 81 and 82:
Page 83 and 84:
Page 85 and 86:
Page 87 and 88:
Page 89 and 90:
Page 91 and 92:
odnosno: rot Etr = − jωµ ezH
Page 93 and 94:
Izračunajmo sada snagu prenesenu n
Page 95 and 96:
Page 97 and 98:
Page 99 and 100:
Page 101 and 102:
Page 103 and 104:
Page 105 and 106:
Page 107 and 108:
Page 109 and 110:
Page 111 and 112:
Page 113 and 114:
Page 115 and 116:
Page 117 and 118:
Page 119 and 120:
Page 121 and 122:
Page 123 and 124: MIKROVALNA ELEKTRONIKA FESB - SPLIT
Page 125 and 126: d N = r × F , dt MIKROVALNA ELEK
Page 129 and 130: odnosno: uz: iz čega je: pa je:
Page 157 and 158: V 0 Slika 1. Dvorezonantni klistron
Page 173: MIKROVALNA ELEKTRONIKA FESB - SPLIT
show all

Mikrovalna elektronika - FESB

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?