Mikrovalna elektronika - FESB

MIKROVALNA ELEKTRONIKA
FESB – SPLIT
l
- +
GaAs N - tip
E
E C
t
0 x
x 0
Slika 21. Gunn dioda i karakteristika polja
l
∫ Edx = V = konst.
,
0
pa je na lijevo od skupine elektrona polje niže od onoga na desno. Stoga se grupiranje
elektrona nastavlja, ali isto tako ovi se gibaju udesno zbog postojanja polja.
Istovremeno s gibanjem populacija elektrona raste kao na sl. 22. Konačno stignu kao
grupa na pozitivni kraj i to rezultira strujnim impulsom kao na slici. Nakon prolaska
jedne skupine naboja stvar se ponavlja.
Uslijed poremećaja stvara se na jednom mjestu blizu katode polje veće od
kritičnog pa se gomilaju elektroni jer postaju sporiji na putu prema anodi. Njih dakle
sustižu oni koje tjera polje manje od kritičnog s lijeva, a od te grupe se udaljavaju oni
s desna. Stoga se obrazuje dipolni sloj, kao što je prikazano na sl. 22.
E
E C
OBOGAĆENI
SLOJ
–
–
–
–
–
–
–
–
v el
+
+
+
+
+
+
+
+
OSIROMAŠENI
SLOJ
x
E
E
EC
–
–
–
–
–
–
–
–
+
+
+
+
+
+
+
+
EC
x
Slika 22. Formiranje dipolnog sloja
x
- 178 -