Auflösung des schnellen Schaltens bei Patch-Clamp Untersuchungen
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Kapitel 6: Experimenteller Aufbau und Methoden<br />
Bei einem Niveau, in dem Sprünge nach oben und nach unten möglich sind, werden zwei<br />
parallel laufende Detektoren, die gleichzeitig nach oben und nach unten schauen, benötigt.<br />
Beim Higher-Order-Hinkley-Detektor wird anstelle der einfachen Ordnung <strong>des</strong><br />
Algorithmus eine höhere Ordnung benutzt. Diese unterdrückt die hochfrequenten<br />
Rauschanteile stärker als <strong>bei</strong> der ersten Ordnung <strong>des</strong> Algorithmus. Der Testwert der höheren<br />
Ordnung läßt sich berechnen als:<br />
g<br />
( i)<br />
t<br />
( i)<br />
( i−1)<br />
( 1)<br />
⎧gt −1+<br />
Tgt<br />
fürg<br />
t ≥0<br />
= ⎨<br />
⎩0<br />
sonst<br />
36<br />
(6.4)<br />
g t<br />
i :: Der Testwert i-ter Ordnung.<br />
Bei einer Überschreitung <strong>des</strong> Testwertes g i über die Schranke λ wird ein Sprung erkannt.<br />
Die Testwerte werden alle wie <strong>bei</strong>m Hinkley-Detektor erster Ordnung gleich Null gesetzt,<br />
wenn g i < 0 ist. Das Prinzip <strong>des</strong> Higher-Order-Hinkley-Detektors entspricht dem <strong>des</strong><br />
ursprünglichen Hinkley-Detektors.<br />
Diese Auswertung wird für alle Membranspannungsbereiche ausgeführt. Nur die<br />
Spannungswerte von ±20 mV wurden wegen <strong>des</strong> schlechten Signal-Rausch-Verhältnisses<br />
nicht für die Verweildauerhistogramme benutzt. Für die Strom-Spannungskurven sind aber<br />
alle Daten verwendet worden. Die genauere Auswertung der Stromniveaus und die Dwell-<br />
Time-Histogramme werden in dem folgenden Kapitel beschrieben.